[发明专利]溅射装置和成膜方法

权利要求书

1、一种溅射装置，围绕旋转轴线使圆盘状衬底旋转的同时，对该衬底的衬底表面进行成膜处理，其特征在于，该装置包括：

腔室，在其内部形成有溅射处理室；

台子，设置在所述腔室的第1区域，用于将所述衬底表面朝向所述溅射处理室内的状态下保持所述衬底，同时以所述旋转轴线为中心使该衬底在与所述衬底表面平行的面内旋转；

溅射阴极，其设置在所述腔室的第2区域中从所述旋转轴线相离的位置，具有在所述溅射处理室中与所述衬底对置的阴极表面，所述第2区域隔着所述溅射处理室位于所述第1区域的相反侧；

其中，

当从所述旋转轴线到所述衬底的外周边缘部的距离为R，从所述旋转轴线到所述阴极表面的中心点的距离为OF，从所述衬底表面到所述阴极表面的中心点的高度为TS时，大概满足R∶OF∶TS＝100∶175∶190±20的关系，同时，所述旋转轴线与通过所述阴极表面的中心点的法线交叉，其交叉角度满足22°±2°的关系。

2、根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，

包围所述衬底的隔离板，以所述旋转轴线为中心轴，以轴对称形状配置；

所述溅射处理室，由所述隔离板和所述衬底表面所包围的内侧空间形成。

3、根据权利要求2所述的溅射装置，其特征在于，

所述隔离板包括：从所述第2区域向所述第1区域呈圆筒状地延伸的第1隔离板，和，从该第1隔离板的所述第1区域侧的端部延伸到所述衬底的外周边缘部的呈漏斗状的第2隔离板；

其中，所述第2隔离板相对所述衬底表面的倾斜角设置在20°以下。

4、一种采用权利要求1～3中任一项所述的溅射装置的成膜方法，其特征在于，该方法包括：

抽为真空的工序，在所述台子保持所述衬底，并将所述溅射处理室抽为真空；

成膜工序，利用所述台子使所述衬底旋转的同时，将溅射气体导入所述溅射处理室内并产生等离子体，对所述衬底表面进行成膜处理。

5、根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

以30rpm以上的转数旋转所述衬底。

6、根据权利要求5所述的成膜方法，其特征在于，

在所述成膜工序中，形成含有磁性层的多层膜。