[发明专利]功能元件和氧化物材料形成方法

权利要求书

1.一种功能元件，其特征在于：具有Al_xGa_yIn_zN和在所述Al_xGa_yIn_zN上形成、含有金属氧化物的氧化物材料，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；所述金属氧化物为TiO₂；在所述金属氧化物中掺杂选自Nb、Ta、Mo、As、Sb、Al和W中的1种或2种以上。

2.权利要求1所述的功能元件，其特征在于：所述氧化物材料为单相膜。

3.权利要求1所述的功能元件，其特征在于：所述氧化物材料为外延生长膜。

4.权利要求1所述的功能元件，其特征在于：为透明电极。

5.权利要求1所述的功能元件，其特征在于：为发光元件。

6.权利要求1所述的功能元件，其特征在于：为高频器件。

7.一种功能元件，其特征在于：具有Al_xGa_yIn_zN和在所述Al_xGa_yIn_zN上形成、含有金属氧化物的氧化物材料，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；所述金属氧化物为TiO₂；在所述金属氧化物中掺杂选自Co、Fe、Cr、Sn、Ni、Mn和V中的1种或2种以上。

8.权利要求7所述的功能元件，其特征在于：作为光磁器件发挥功能。

9.权利要求7所述的功能元件，其特征在于：作为隔离器发挥功能。

10.一种氧化物材料形成方法，是采用脉冲激光沉积法在Al_xGa_yIn_zN上形成含有金属氧化物的氧化物材料的方法，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；所述金属氧化物为TiO₂；在所述金属氧化物中掺杂选自Nb、Ta、Mo、As、Sb、Al、W、Co、Fe、Cr、Sn、Mn和V中的1种或2种以上。

11.权利要求10所述的氧化物材料形成方法，其特征在于：在所述金属氧化物中掺杂Ta，沉积时Al_xGa_yIn_zN的温度设定为320℃以上550℃以下；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1。

12.权利要求10所述的氧化物材料形成方法，其特征在于：在所述金属氧化物中掺杂Ta，沉积时Al_xGa_yIn_zN的温度设定为320℃以上450℃以下；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1。

13.权利要求10所述的氧化物材料形成方法，其特征在于：在所述金属氧化物中掺杂Ta，沉积时Al_xGa_yIn_zN的温度设定为320℃以上400℃以下；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1。

14.权利要求10所述的氧化物材料形成方法，其特征在于：还具有在沉积前进行使Ga末端在Al_xGa_yIn_zN表面露出的处理的工序；其中，0≤x≤1、0＜y≤1、0≤z≤1。

15.权利要求10所述的氧化物材料形成方法，其特征在于：还具有在沉积前进行用酸对Al_xGa_yIn_zN表面处理的工序；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1。

16.权利要求10所述的氧化物材料形成方法，其特征在于：在所述金属氧化物中掺杂Nb，沉积时Al_xGa_yIn_zN的温度设定为350℃以上500℃以下；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1。