[发明专利]卷绕式等离子CVD装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种卷绕式等离子CVD装置，该装置一边使薄膜在减压环境中移动一边通过等离子CVD在薄膜上进行成膜。

背景技术

已往，在长尺寸薄膜或薄膜状基板上连续地进行成膜时，例如是采用卷绕式真空成膜装置(见下述专利文献1、2)。在该装置中，一边使从放卷部放出的薄膜以一定的速度移动，一边在成膜位置用等离子CVD等进行成膜，然后，用卷绕部进行卷绕。

图7表示已往的卷绕式等离子CVD装置的构造。在已往的卷绕式等离子CVD装置中，在真空腔1的内部从放卷辊2放出薄膜3，通过若干个辅助辊4卷绕到内置有加热源的圆筒辊5上，然后，再通过若干个辅助辊6卷绕到卷绕辊7上。圆筒辊5与接地电位连接，并且与圆弧形的高频电极8相向地配置着，通过气体供给管9把反应气体供给到圆筒辊5与高频电极8之间，产生等离子，使其反应生成物附着在圆筒辊5上的薄膜上、进行成膜。

在该已往的卷绕式等离子CVD装置中，借助配置在圆筒辊5周围的密封机构9，将真空室1的内部划分为反应室10和非反应室11。用真空排气管12对反应室10进行真空排气，通过导入来自辅助气体导入管13的辅助气体，对非反应室11进行加压，这样，抑制供给到反应室10的反应气体向非反应室11一侧流动。

专利文献1：日本特开2002-212744号公报

专利文献2：日本特开平7-233474号公报

专利文献3：日本特开2003-179043号公报

在上述已往的卷绕式等离子CVD装置中，为了在把薄膜3卷绕在圆筒辊5的周面上的状态下进行成膜，用于形成等离子的高频电极8，形成沿着圆筒辊9的周面的圆弧形。

但是，在该结构中，难以把反应气体均匀地供给到薄膜的整个成膜区域，所以具有不能形成均匀的等离子、在薄膜3上难以均匀地成膜的问题。另外，由于需要把高频电极8形成为与圆筒辊5同心的圆筒状，所以，具有不容易进行高频电极8与圆筒辊5之间的间隙调整、并且也不容易制作高频电极8的问题。

另一方面，通常，在用等离子CVD进行成膜时，成膜位置周边的零件(喷淋板(シヤワ—プレ—ト)、罩等)由于附着反应生成物而被污染。为此，必须定期地清洁反应室，以降低灰尘发生率。该清洁作业的方法是，代替反应气体导入清洁用的气体、使其等离子化，与附着物反应而除去附着物(自清洗(セルフクリ—ニング))(参照专利文献3)。

但是，在上述已往的卷绕式等离子CVD装置中，卷绕在圆筒辊5上的薄膜3常时地与高频电极8相向，在进行自清洗时，薄膜或周围的零件被污染，所以，具有在薄膜的成膜过程中不能进行成膜部的自清洗的问题。

发明内容

本发明就是鉴于上述问题而作出的，其目的是提供一种卷绕式等离子CVD装置，该装置可向薄膜的成膜区域均匀地供给反应气体、实现膜质的均匀化，而且可容易调整高频电极与相向电极之间的间隙。

另外，本发明的目的是提供在薄膜的成膜过程中可进行成膜部的自清洗的卷绕式等离子CVD装置。

本发明的卷绕式等离子CVD装置，具有上游辊和下游辊，该上游辊和下游辊相对于薄膜的移动方向，分别配置在成膜位置的上游侧和下游侧，使薄膜在成膜位置大致直线地移动；在上述成膜位置，配置着高频电极、相向电极和气体供给机构；上述高频电极与薄膜的成膜面相向，并与高频电源连接；上述相向电极配置在薄膜的成膜面背面侧；上述气体供给机构将原料气体供给到薄膜的成膜面。

在本发明中，薄膜由上游辊及下游辊支承着，在成膜位置、在高频电极与相向电极之间大致直线地移动。向薄膜的成膜面供给的原料气体，通过向高频电极施加高频电压而等离子化，其反应生成物附着在移动的薄膜的成膜面上、进行成膜。

由于薄膜被直线状地支承着，所以，通过调整上游辊及下游辊的高度位置，可容易地进行薄膜与高频电极之间的间隙设定。另外，由于可将高频电极和相向电极都形成为平坦状，所以，可容易进行两电极间的间隙调整。两电极的构造也简单化，制作容易。

在本发明中，上述气体供给机构备有：安装在上述高频电极上的喷淋板(シャワ—プレ—ト)；形成在上述高频电极与上喷淋板之间的空间部；与上述空间部连通并通过上述喷淋板把气体供给到薄膜的成膜面上的气体供给配管。这样，可以使供给到薄膜成膜区域的反应气体均匀化，所以，能均匀地形成等离子，实现膜质的均匀化。