[发明专利]使用温度可调的卡盘设备来测试半导体晶片的方法和装置

权利要求书

1.一种使用温度可调夹紧设备(1)来测试半导体晶片(5)的方法，包括如下步骤：

使用具有预定加热功率(PW)的电加热设备(HE)和具有预定冷却能力(PK)的冷却设备(11a，11b，11c)，将夹紧设备(1)的温度控制到预定测量温度，其中将流体(F)通过冷却设备(11a，11b，11c)以达到冷却目的，所述加热功率(PW)实质上大于预定测试功率(PT)；

将半导体晶片(5)的背面(R)放置在温度可调夹紧设备(1)的支持面(AF)上；

将探测卡(7’，7’a)放置在半导体晶片(5)的正面(O)上；

通过使用其上放置的探测卡(7’，7’a)的探针(91，92)，从测试装置(TV)将测试功率(PT)施加到半导体晶片(5)的正面(O)的芯片区(CH)中，对半导体晶片(5)进行测试；

记录测试期间流体(F)的温度升高，流体(F)的温度升高反映了测试功率(PT)；以及

考虑到测试期间记录的流体(F)的温度升高，在冷却能力(PK)实质上恒定不变的情况下，减小测试期间的加热功率(PW)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，考虑到来自第二和第三温度记录设备(TS5，TS6)的信号，记录流体(F)的温度升高，第二和第三温度记录设备(TS5，TS6)记录在测试期间为进行冷却而由冷却设备(11a、11b，11c)向夹紧设备(1)提供的流体(F)的输入温度(Tin)和输出温度(Tout)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，考虑到利用来自第一温度记录设备(TS1)的信号而记录的芯片区(CH)的温度升高，减小加热功率(PW)，第一温度记录设备(TS1)在测试期间无任何接触地记录芯片区CH的温度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第一温度记录设备(TS1)包括红外温度计(120，121)。

5.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，夹紧设备(1)具有上部区(1a)、中部区(1b)和下部区(1c)，上部区(1a)具有与半导体晶片(5)的背面(R)相接触的支持表面(AF)，中部区(1b)具有加热设备(HE)，下部区(1c)具有冷却设备(11a，11b，11c)。

6.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，测试功率(PT)在一到几百瓦特的数量级上，加热功率(PW)在一到几千瓦特的数量级上。

7.一种使用温度可调夹紧设备(1)来测试半导体晶片(5)的装置，包括：

温度控制设备，用于使用具有预定加热功率(PW)的电加热设备(HE)和具有预定冷却能力(PK)的冷却设备(11a，11b，11c)，将夹紧设备的温度控制到预定测量温度，其中将流体(F)通过冷却设备(11a，11b，11c)以达到冷却目的，所述加热功率(PW)实质上大于预定测试功率(PT)；

测试装置(TV)，用于通过使用探测卡(7’，7’a)的探针(91，92)，将测试功率(PT)施加到半导体晶片(5)的正面(O)的芯片区(CH)中，对半导体晶片(5)进行测试；以及

温度记录设备(T5，T6)，用于记录测试期间流体(F)的温度升高，流体(F)的温度升高反映了测试功率(PT)；

温度控制设备配置为考虑到测试期间记录的流体(F)的温度升高，在冷却能力(PK)实质上恒定不变的情况下，减小测试期间的加热功率(PW)。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，考虑到来自第二和第三温度记录设备(TS5，TS6)的信号，由第二和第三温度记录设备(TS5，TS6)记录流体的温度升高，第二和第三温度记录设备(TS5，TS6)记录在测试期间为进行冷却而提供给夹紧设备(1)的流体(F)的输入温度(Tin)和输出温度(Tout)。

9.根据权利要求7或8所述的装置，其特征在于，考虑到利用来自第一温度记录设备(TS1)的信号而记录的芯片区(CH)的温度升高，减小加热功率(PW)，第一温度记录设备(TS1)在测试期间无任何接触地记录芯片区CH的温度。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，第一温度记录设备(TS1)包括红外温度计(120，121)。