[发明专利]从半导体基板插入或除去物质的方法

权利要求书

1、一种从半导体基板除去物质的方法，其特征在于该方法包括：

a)将冲洗用流体导入一含半导体基板的容器内，同时将容器内的压力设定在高水平；

b)维持容器内的压力在该高水平一段预定期间；

c)藉由从容器除去流体以将容器内的压力降低至较低水平，该流体含有该物质；及

d)重复步骤a)、b)和c)至少一次，藉以从半导体基板除去物质。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于从半导体基板的结构形体内除去物质。

3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的结构形体具有开口大小为小于结构形体的穿透尺寸。

4、根据权利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的结构形体是一种高纵横比形体。

5、根据权利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的结构形体具有小于约100nm的大小。

6、根据权利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的结构形体具有大于约2nm的大小。

7、根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的物质是选自由水、异丙醇、烃、硅氧烷、酸及碱所组成族群的成员。

8、根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的冲洗用流体包括空气、氩气、氮气、氦气、二氧化碳、三甲基硅烷氯化物、六甲基二硅氮烷、氧气、水及其混合物中至少一种。

9、根据权利要求8所述的方法，其特征在于其中所述的冲洗用流体包括干空气及水。

10、根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的半导体基板包含低k介电材料。

11、根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的步骤a)和步骤b)中至少一个包括藉由使半导体基板暴露于冲洗用流体中以修补半导体基板的损伤。

12、根据权利要求11所述的方法，其特征在于其中所述的步骤a)和步骤b)中至少一个包括修补半导体基板的结构形体的损伤。

13、根据权利要求11所述的方法，其特征在于其中所述的冲洗用流体是一种高压的气体。

14、根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的步骤a)和步骤b)中至少一个包括藉由使半导体基板暴露于冲洗用流体中以钝化半导体基板的表面。

15、根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的降低压力包括相对于半导体基板中所存在的一组物质，选择地从半导体基板选择除去物质。

16、根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的压力的较低水平是低气压。

17、根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的重复步骤a)、b)和c)是包括在步骤a)、b)和c)的至少一个重复期间，改变高水平、较低水平及预定期间中至少一者。

18、根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的重复步骤a)、b)和c)是包括在步骤a)、b)和c)的至少一个重复期间，利用第二种冲洗用流体代替该冲洗用流体，而该第二种冲洗用流体具有不同于该冲洗用流体的组成。

19、根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的步骤a)和步骤b)中至少一个包括引起一种牵涉该冲洗用流体的化学反应。

20、根据权利要求19所述的方法，其特征在于其中所述的引起化学反应是包括产生将要被除去的物质。

21、一种将新物质传送至半导体基板的方法，其特征在于其包括：

a)将一含有新物质的填充用流体导入一含半导体基板的容器内，同时将容器内的压力设定在高水平，该容器含有半导体基板；

b)将容器内的压力维持在高水平一段预定时间；

c)藉由从容器除去流体以将容器内的压力降低至较低水平；及

d)重复步骤a)、b)和c)至少一次，藉以将新物质传送至半导体基板。

22、根据权利要求21所述的方法，其特征在于其中所述的半导体基板包括一种结构形体，而该传送新物质包括将新物质插入半导体基板的结构形体内。