[发明专利]用以由发光二极管移除热量的系统及方法

权利要求书

1.一种发光二极管的冷却方法，包含下列步骤：

于承载基板上形成一多层磊晶结构；

于该多层磊晶结构上沉积至少一金属层；

移除该承载基板；以及

于该金属层中形成一或多个热量移除结构以散除热量。

2.如权利要求1所述的发光二极管的冷却方法，其中该承载基板包含蓝宝石。

3.如权利要求1所述的发光二极管的冷却方法，其中该沉积金属层的步骤包含电化学沉积。

4.如权利要求1所述的发光二极管的冷却方法，其中该沉积金属层的步骤包含沉积至少一金属层且随后实施一或多次无电化学沉积。

5.如权利要求1所述的发光二极管的冷却方法，其中该沉积金属层的步骤包含利用下列其中一项方式实施：化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition，CVD)、等离子增强型化学气相沉积(Plasma-Enhanced CVD，PECVD)、物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)、原子层沉积Atomic Layer Deposition，ALD)、金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)、蒸镀、以及等离子喷涂(Plasma Spray)。

6.如权利要求1所述的发光二极管的冷却方法，包含下列步骤：

于该金属层之上沉积一或多层附加金属层。

7.如权利要求1所述的发光二极管的冷却方法，其中该形成热量移除结构的步骤包含表面粗化。

8.如权利要求7所述的发光二极管的冷却方法，其中该表面粗化包含利用下列其中一项方式实施：喷砂、研磨、刻划、激光切割。

9.如权利要求1所述的发光二极管的冷却方法，其中该热量移除结构的形貌表面增加因子(ξ)不小于约1.1。

10.一种发光二极管的冷却方法，包含下列步骤：

于承载基板上形成一多层磊晶结构；

于该多层磊晶结构上沉积至少一金属层；

移除该承载基板；以及

将一或多个热量移除结构贴附于该金属层，以散除热量。

11.如权利要求10所述的发光二极管的冷却方法，其中该承载基板包含蓝宝石。

12.如权利要求10所述的发光二极管的冷却方法，其中该沉积金属层的步骤包含电化学沉积。

13.如权利要求10所述的发光二极管的冷却方法，其中该沉积金属层的步骤包含在一或多个无电化学沉积后沉积至少一金属层。

14.如权利要求10所述的发光二极管的冷却方法，其中该沉积金属层的步骤包含利用下列其中一项方式加以实施：CVD、PECVD、PVD、ALD、MOCVD、蒸镀、以及等离子喷涂。

15.如权利要求10所述的发光二极管的冷却方法，包含在该金属层上沉积一或多层附加金属层。

16.如权利要求10所述的发光二极管的冷却方法，其中该热量移除结构包含以胶合(gluing)及利用例如银浆(silver paste)的粘浆的粘合(bonding)其中一项方式来贴附到该金属基板。

17.如权利要求10所述的发光二极管的冷却方法，其中该热量移除结构的形貌表面增加因子(ξ)不小于约1.1。

18.一种发光二极管的制造方法，包含下列步骤：

提供一承载基板；

沉积一多层磊晶结构；

于该多层磊晶结构上沉积一或多层金属层；

利用蚀刻定义出一或多个台面；

形成一或多层非导电层；

移除一部份的该非导电层；

沉积至少一或多层金属层，并于该金属层中形成一或多个散热鳍片；以及

移除该承载基板。

19.如权利要求18所述的发光二极管的制造方法，其中该承载基板包含下列其中之一：蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓。

20.如权利要求18所述的发光二极管的制造方法，其中该多层磊晶结构包含：一n型氮化镓或氮化铝镓层；具有氮化铟铝镓/氮化镓层的一或多个量子井；以及一p型氮化镓或氮化铝镓层。