[发明专利]发光二极管阵列的制造系统与方法

权利要求书

1.一种已知良品LED阵列的制造方法，包含：

在金属基板上形成LEDs；

评估该LEDs的缺陷，包括与预定标准相比较的光学及电学功能丧失；以及

从该金属基板上移除一个或多个有缺陷的LEDs，并留下良品LEDs。

2.如权利要求1所述的已知良品LED阵列的制造方法，其中，该移除包含利用激光汽化有缺陷的LED结构，以使该LED的温度升高至使其汽化的温度以上。

3.如权利要求1所述的已知良品LED阵列的制造方法，其中，该移除一个或多个有缺陷的LEDs的制程包含沿着该有缺陷的LED的截口施加激光束并切穿该金属基板。

4.如权利要求1所述的已知良品LED阵列的制造方法，其中，该评估包含在该多个LED中的每一个上进行光学及电学功能性测试，以鉴别符合要求的无缺陷LED阵列。

5.如权利要求1所述的已知良品LED阵列的制造方法，还包含在晶圆级下封装无缺陷LED阵列。

6.如权利要求1所述的已知良品LED阵列的制造方法，其中，该多层磊晶结构包含：

n型半导体层，由氮化镓(GaN)或氮化铝镓(AlGaN)构成；

一个或多个具有InAlGaN/GaN层的量子阱；以及

p型半导体层，由氮化镓(GaN)或氮化铝镓(AlGaN)构成。

7.如权利要求1所述的已知良品LED阵列的制造方法，其中，在该多层磊晶结构上方的该一个或多个金属层包含下列其中之一：氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、银(silver)、铝(Al)、铬(Cr)、铂(Pt)、镍(Ni)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、耐火金属、及其金属合金。

8.一种已知良品LED阵列的制造方法，包含：

在金属基板上形成LED阵列；

评估该LED阵列的缺陷，包括与预定标准相比较；以及

从该金属基板上移除一个或多个有缺陷的LEDs。

9.如权利要求8所述的已知良品LED阵列的制造方法，其中，该移除制程包含利用激光汽化有缺陷的LED结构，以将该LED的温度提升至高于汽化温度的温度。

10.如权利要求8所述的已知良品LED阵列的制造方法，其中，该移除一个或多个有缺陷的LEDs的制程包含沿着缺陷LED的截口施加激光束并切穿该金属基板。

11.如权利要求8所述的已知良品LED阵列的制造方法，其中，该评估制程包含在该多个LEDs中的每一个上进行光学及电学功能性测试，以鉴别符合要求的无缺陷的LED阵列。

12.如权利要求8所述的已知良品LED阵列的制造方法，还包含在晶圆级下封装无缺陷的LED阵列。

13.如权利要求8所述的已知良品LED阵列的制造方法，其中，该多层磊晶结构包含：

n型半导体层，由氮化镓(GaN)或氮化铝镓(AlGaN)构成；

一个或多个量子阱，具有AlInGaN/GaN层；以及

p型半导体层，由氮化镓(GaN)或氮化铝镓(AlGaN)构成。

14.如权利要求8所述的已知良品LED阵列的制造方法，其中，在该多层磊晶结构上方的该一个或多个金属层包含下列其中之一：氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、银(silver)、铝(Al)、铬(Cr)、铂(Pt)、镍(Ni)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、耐火金属、及其金属合金。