[发明专利]半导体激光装置及其制造方法无效
申请号: | 200680002145.9 | 申请日: | 2006-01-05 |
公开(公告)号: | CN101103502A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | 山本刚司 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/022 | 分类号: | H01S5/022 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 激光 装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体激光装置及其制造方法。特别是,本发明涉及对CD(光盘)、MD(小型盘)、DVD(数字通用盘)等读取用光源,或者对CD-R/RW(可记录/可改写光盘)、DVD-R/RW(可记录/可改写数字通用盘)的写入用光源中所使用的半导体激光装置。
背景技术
图8中示出日本特开2004-31900号公报中所公开的现有的半导体激光装置。半导体激光装置X是向图中上方射出激光的装置。在以下,说明半导体激光装置X的构成。
半导体激光装置X具有立柱(stem)91。立柱91由基座91A和块体91B组成。在块体91B的上面设置有半导体激光元件92。在基座91A的上面设置有受光元件93。此外,在基座91A上形成有两个孔91Aa。
引线94A、94B贯通各个孔91Aa。引线94A经由导线与半导体激光元件92导通,引线94B与受光元件93导通。在孔91Aa与引线94A、94B的间隙中,填充有低融点玻璃97。引线94C与基座91A的下面相接合。
以覆盖块体91B的方式设置有罩(cover)95。虽然在罩95的上部形成有开口95a,但是该开口95a由玻璃板96所遮挡。玻璃板96构成为使从半导体激光元件92射出的激光透过。罩95的边缘通过电阻焊接与基座91A相接合。
如果采用上述构成,则由基座91A与罩95所划出的空间相对半导体激光装置X外的空间保持气密。因此,该半导体激光装置X即使在湿度高的环境中使用,也能够防止半导体激光元件92周围的湿度变高,进而能够保护半导体激光元件92。
近年来,在CD-R等记录介质中,访问速度变得高速化。因此,输出光强度大的半导体激光装置变得必要。特别是在作为CD-R/RW或DVD-R/RW等的写入用光源的用途中,要求较大的输出光强度。
如果增加半导体激光装置的输出光强度,则伴随发生半导体激光元件发热量增加。但是,在上述半导体激光装置X的情况下,半导体激光元件92被配置在由基座91A和罩95所划分出的具有高气密性的空间内。因此,无法使在半导体激光元件92中产生的热量充分地逃逸到外部气氛中。其结果,存在着因半导体激光元件92的温度过度上升而变得无法从半导体激光元件92适当地射出激光。
发明内容
本发明是基于上述情况而提出的,本发明的课题在于提供一种具有高散热性并且输出光强度大的半导体激光装置。此外,本发明的另一个课题在于提供这种半导体激光装置的制造方法。
为了解决上述课题,本发明提出以下的技术方案。
根据本发明的第一方面提供一种半导体激光装置,包括:基座,固定在该基座上的块体,以及设置在该块体上的半导体激光元件。而且,该半导体激光装置还包括:贯通上述基座并且与上述半导体激光元件导通的引线,以及固定在上述基座上并且构成为包围上述半导体激光元件和上述引线的一端部的罩。在该罩上形成有在从上述半导体激光元件射出的激光的射出方向上插通(开通)的开口。因此,上述罩在上述射出方向上开放。
如果采用这种构成,则由上述罩和上述基座所包围的空间通过上述开口与该半导体激光装置的外部相通,不成为密闭的空间。因此,即使因上述半导体激光装置的使用而引起上述半导体激光元件发热,也能够从上述开口使这些热量向上述半导体激光装置的外部散发。因而,能够抑制上述半导体激光元件过渡地成为高温,在应用于CD-R/RW等写入用光源的情况下,能够对应访问速度的高速化而适当地增加输出光强度。
优选形成为上述基座和上述块体由同一材料组成的一体形成结构。如果采用这种构成,则可以提高上述块体与上述基座之间的热传递性。因此,来自上述半导体激光元件的热量不仅能够从上述开口散发,而且还能够经由上述块体向上述基座传播。
优选上述基座和上述块体由Cu和Cu合金的任一方组成。这种构成能够使上述基座和上述块体具有较高的热传导率,适于抑制上述半导体激光元件的温度上升。
优选上述引线通过树脂被固定在上述基座上。如果采用这种构成,则能够使上述引线与上述基座机械接合的同时保持电气绝缘。此外,例如在利用玻璃进行固定的情况下,在烧制时有必要1000℃以上的高温。与此相对,在利用树脂进行固定的情况下,能够在200~300℃左右的较低温度下进行烧制。因而,即使在该烧制前,对上述基座和上述块体实施镀Au处理,也不存在烧制工序侵蚀该Au镀层的危险。如果采用本发明,则也可以进行镀Au以外的镀层处理,此外,也可以实施其他种种的表面处理。
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