[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及多腔室方式构成的基板处理装置，特别是涉及将两个多腔室装置串联连接的基板处理装置。

背景技术

在现有技术中，在半导体制造装置领域中，为了连续地进行多个半导体制造工序，采用在主搬送室周围配置多个处理模块的多腔室方式。

一般，在真空处理用的多腔室基板处理装置、即所谓组件装置(cluster tool)中，不只是在各处理模块的腔室中，组件(cluster)中心部的搬送室也被维持在真空。作为接口模块的负载锁定室经由闸阀与搬送室连接。被处理体、例如半导体晶片被搬入大气压状态下的负载锁定室中，然后，从成为减压状态后的负载锁定室搬入搬送室中。设置在搬送室中的搬送机构，将从负载锁定室中取出的半导体晶片搬入第一个处理模块中。该处理模块，根据预先设定的方案，花费规定的时间，进行第一工序的处理。当该第一工序的处理结束时，搬送室的搬送机构将该半导体晶片从第一个处理模块中搬出，接着将其搬入第二个处理模块中。在该第二个处理模块中，也是根据预先设定的方案，花费规定的时间，进行第二工序的处理。如果该第二工序的处理结束，则搬送室的搬送机构，将该半导体晶片从第二个处理模块中搬出；当有下一工序时，将其搬入第三个处理模块中，当没有下一工序时，将其返回至负载锁定室。在第三个以后的处理模块中进行处理的情况下，也是一样，当以后有下一工序时，搬入后段的处理模块中，当没有下一工序时，返回负载锁定室中。这样，当将结束多个处理模块的一连串处理后半导体晶片搬入负载锁定室中时，将负载锁定室从减压状态切换至大气压状态。然后，经由与搬送室相反一侧的晶片出入口，从负载锁定室中搬出该半导体晶片。

在串联连接两个多腔室装置的串联(tandem)式的基板处理装置中，包含负载锁定室的第一组件的搬送室和不包含负载锁定室的第二组件的搬送室通过闸阀连接，并且在两个搬送室的搬送机构之间，设置进行半导体晶片交换用的中继部(参照日本特开2004-119635号公报，特别是图3)。作为搬送顺序的一个典型例子，第一组件侧的第一搬送机构将从负载锁定室导入的各半导体晶片依次搬送至第一组件内的一个或多个处理模块中，接受由一个或多个工序构成的第一阶段的处理，如果处理结束则交给中继部。第二组件侧的第二搬送机构接受留置在中继部的半导体晶片，依次搬送至第二组件内的一个或多个处理模块中，接受由一个或多个工序构成的第二阶段的处理，如果处理结束则交给中继部。第一搬送机构取回返回至中继部的处理后的半导体晶片，返回至负载锁定室。

这样，串联连接两个组件的串联式基板处理装置可以连续地进行第一组件的一个或多个处理和第二组件的一个或多个处理。另外，由于能够利用闸阀分离第一组件内的气氛和第二组件内的气氛，有尽力抑制交叉污染(污染的传播或扩散)的优点。

在上述的串联式处理系统中，使从第一组件向第二组件移动的半导体晶片和从第二组件向第一组件移动的半导体晶片的停留时间不同，暂时留置在共同的中继部中。

在现有技术中，如果使从一个组件向另一个组件移动的半导体晶片在中继部中等待，考虑到系统内的全部晶片的搬送最好不堵塞，当从第二组件的第二搬送机构将半导体晶片交给中继部时，第一组件的第一搬送机构立刻取回该半导体晶片，当从第一组件的第一搬送机构将半导体晶片交给中继部时，第二组件的第二搬送机构立刻取回该半导体晶片。

然而，这样，优先从中继部取回晶片的搬送顺序成为在处理系统整体或一个处理批次整体中看的生产率恶化的原因。即：在最重视处理系统整体的生产率的情况下，在横跨第一组件和第二组件，按工序顺序将各半导体晶片搬送至多个处理模块的串行搬送中，对于各处理模块，搬出刚刚在其中结束处理的半导体晶片，与其进行替换，搬入刚刚从前工序的处理模块中搬出的下一个半导体晶片，这样的替换搬送方式是最有利的。在现有技术中，在这种串行搬送方式中，如上所述，另一个组件的搬送机构立刻取回从一个组件的搬送机构交给中继部的半导体晶片，搬送至下一个目的地。但是，这样，优先从中继部取回半导体晶片和搬送至下一个目的地，而推迟对于处理模块的晶片搬送，结果，使从系统整体乃至一个处理批次整体看的生产率恶化。

发明内容

本发明是为了解决上述现有技术的问题而提出的，其目的是提供一种基板处理装置，该基板处理装置可提高依靠横跨两个多腔室装置的多个处理模块而进行的连续处理的生产率。