[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200680002255.5 申请日: 2006-02-20
公开(公告)号: CN101103448A 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 三隅贞仁;松村健 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;C09J163/00;C09J133/00;H01L21/50;C09J161/04;H01L21/60
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 樊卫民;郭国清
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,

包括:临时固定工序,通过粘合片将半导体元件临时固定在被粘物上;和

引线接合工序,不经过加热工序,在接合温度80~250℃的范围内进行引线接合,

作为上述粘合片,使用固化前的贮存弹性模量在80~250℃的温度范围内为1MPa以上,或在该温度范围内的任意温度下为1MPa以上的粘合片。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述被粘物为基板、引线框或半导体元件。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

包括:封装工序,利用封装树脂对所述半导体元件进行封装;和

后固化工序,对所述封装树脂进行后固化,

在所述封装工序和/或后固化工序中,通过加热使封装树脂固化,并且通过所述粘合片使半导体元件和被粘物固定。

4.如权利要求1~3的任意一项所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

作为所述粘合片,使用含有热塑性树脂的粘合片。

5.如权利要求1~3的任意一项所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

作为所述粘合片,使用含有热固性树脂和热塑性树脂两种的粘合片。

6.如权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

作为所述热塑性树脂,使用丙烯酸树脂。

7.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

作为所述热固性树脂,使用环氧树脂和/或苯酚树脂。

8.如权利要求4~7的任意一项所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

作为所述粘合片,使用添加有交联剂的粘合片。

9.一种粘合片,用于半导体装置的制造,其特征在于,固化前的贮存弹性模量在80~250℃的温度范围内为1MPa以上,或在该温度范围内的任意温度下为1MPa以上。

10.如权利要求9所述的粘合片,其特征在于,

所述粘合片含有热塑性树脂。

11.如权利要求9所述的粘合片,其特征在于,

所述粘合片含有热固性树脂和热塑性树脂两种。

12.如权利要求10或11所述的粘合片,其特征在于,

所述热塑性树脂为丙烯酸树脂。

13.如权利要求11所述的粘合片,其特征在于,

所述热固性树脂为环氧树脂和/或苯酚树脂。

14.如权利要求9~13的任意一项所述的粘合片,其特征在于,

在所述粘合片中添加有交联剂。

15.一种半导体装置,其特征在于,通过如权利要求1~8的任意一项所述的半导体装置的制造方法得到。

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