[发明专利]半导体装置的制造方法有效
申请号: | 200680002255.5 | 申请日: | 2006-02-20 |
公开(公告)号: | CN101103448A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | 三隅贞仁;松村健 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;C09J163/00;C09J133/00;H01L21/50;C09J161/04;H01L21/60 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 樊卫民;郭国清 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,
包括:临时固定工序,通过粘合片将半导体元件临时固定在被粘物上;和
引线接合工序,不经过加热工序,在接合温度80~250℃的范围内进行引线接合,
作为上述粘合片,使用固化前的贮存弹性模量在80~250℃的温度范围内为1MPa以上,或在该温度范围内的任意温度下为1MPa以上的粘合片。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
所述被粘物为基板、引线框或半导体元件。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
包括:封装工序,利用封装树脂对所述半导体元件进行封装;和
后固化工序,对所述封装树脂进行后固化,
在所述封装工序和/或后固化工序中,通过加热使封装树脂固化,并且通过所述粘合片使半导体元件和被粘物固定。
4.如权利要求1~3的任意一项所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
作为所述粘合片,使用含有热塑性树脂的粘合片。
5.如权利要求1~3的任意一项所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
作为所述粘合片,使用含有热固性树脂和热塑性树脂两种的粘合片。
6.如权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
作为所述热塑性树脂,使用丙烯酸树脂。
7.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
作为所述热固性树脂,使用环氧树脂和/或苯酚树脂。
8.如权利要求4~7的任意一项所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
作为所述粘合片,使用添加有交联剂的粘合片。
9.一种粘合片,用于半导体装置的制造,其特征在于,固化前的贮存弹性模量在80~250℃的温度范围内为1MPa以上,或在该温度范围内的任意温度下为1MPa以上。
10.如权利要求9所述的粘合片,其特征在于,
所述粘合片含有热塑性树脂。
11.如权利要求9所述的粘合片,其特征在于,
所述粘合片含有热固性树脂和热塑性树脂两种。
12.如权利要求10或11所述的粘合片,其特征在于,
所述热塑性树脂为丙烯酸树脂。
13.如权利要求11所述的粘合片,其特征在于,
所述热固性树脂为环氧树脂和/或苯酚树脂。
14.如权利要求9~13的任意一项所述的粘合片,其特征在于,
在所述粘合片中添加有交联剂。
15.一种半导体装置,其特征在于,通过如权利要求1~8的任意一项所述的半导体装置的制造方法得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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