[发明专利]半导体器件

权利要求书

1、一种半导体器件，包括：

下层侧绝缘膜；

形成于下层侧绝缘膜上的布线图案；

形成于下层侧绝缘膜和布线图案上的基绝缘膜；和

形成于基绝缘膜上的多个金属薄膜电阻元件；

其中连接孔形成于布线图案上的基绝缘膜中；

布线图案和金属薄膜电阻元件在连接孔中电连接；

金属薄膜电阻元件具有与连接孔分离设置的带状部和与带状部连续形成并连接到连接孔中的布线图案的连接部；以及

至少两个金属薄膜电阻元件的连接部分形成于单个连接孔中，在所述连接部之间具有间隙。

2、根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述连接部比带状部宽。

3、根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述连接孔中相邻的连接部之间的间隙比相邻的带状部之间的间隙窄。

4、根据权利要求2所述的半导体器件，其中在所述连接孔中相邻的连接部之间的间隙比相邻的带状部之间的间隙窄。

5、根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

由其材料与金属薄膜电阻元件的材料相同的金属薄膜制成的第一连接部，第一连接部被配置以连接在连接孔中相邻的连接部。

6、根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

由其材料与金属薄膜电阻元件的材料相同的金属薄膜制成的第一连接部，第一连接部被配置以连接在连接孔中相邻的连接部。

7、根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

由其材料与金属薄膜电阻元件的材料相同的金属薄膜制成的第一连接部，第一连接部被配置以连接在连接孔中相邻的连接部。

8、根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

由其材料与金属薄膜电阻元件的材料相同的金属薄膜制成的第二连接部，第二连接部被配置以在相对于连接孔与带状部相对侧，连接在连接孔之外相邻的连接部。

9、根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

由其材料与金属薄膜电阻元件的材料相同的金属薄膜制成的第二连接部，第二连接部被配置以在相对于连接孔与带状部相对侧，连接在连接孔之外相邻的连接部。

10、根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

由其材料与金属薄膜电阻元件的材料相同的金属薄膜制成的第二连接部，第二连接部被配置以在相对于连接孔与带状部相对侧，连接在连接孔之外相邻的连接部。

11、根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

由其材料与金属薄膜电阻元件的材料相同的金属薄膜制成的第二连接部，第二连接部被配置以在相对于连接孔与带状部相对侧，连接在连接孔之外相邻的连接部。

12、一种半导体器件，包括：

分割电阻电路，其通过采用多个电阻元件分割电压输出并通过切割熔丝元件来调整电压输出，从而被配置来获得电压输出的高精确度；

其中所述电阻元件由权利要求1所述的金属薄膜电阻元件形成。

13、一种半导体器件，包括：

分割电阻电路，其通过采用多个电阻元件分割电压输出并通过切割熔丝元件来调整电压输出，从而被配置来获得电压输出的高精确度；

其中所述电阻元件由权利要求2所述的金属薄膜电阻元件形成。

14、一种半导体器件，包括：

分割电阻电路，其通过采用多个电阻元件分割电压输出并通过切割熔丝元件来调整电压输出，从而被配置来获得电压输出的高精确度；

其中所述电阻元件由权利要求3所述的金属薄膜电阻元件形成。

15、一种半导体器件，包括：

分割电阻电路，其通过采用多个电阻元件分割电压输出并通过切割熔丝元件来调整电压输出，从而被配置来获得电压输出的高精确度；

其中所述电阻元件由权利要求5所述的金属薄膜电阻元件形成。

16、一种半导体器件，包括：

分割电阻电路，其通过采用多个电阻元件分割电压输出并通过切割熔丝元件来调整电压输出，从而被配置来获得电压输出的高精确度；

其中所述电阻元件由权利要求8所述的金属薄膜电阻元件形成。