[发明专利]TFT阵列基板检查装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板检查装置，其包括：

驱动状态检测装置，检测上述TFT阵列基板的晶体管的驱动状态；

晶体管特性变化装置，其使构成上述TFT阵列基板的硅的晶体管特性产生变化；以及

检查装置，借由上述检测器的输出，对上述晶体管特性变化后状态的上述TFT阵列基板的驱动状态进行检查。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板检查装置，其中上述驱动状态检测装置包括：

光束照射装置，用以照射电子束至上述TFT阵列基板；以及

二次电子检测器，用以检测借由上述电子束照射所产生的二次电子的强度并输入上述检查装置。

3.如权利要求2所述的TFT阵列基板检查装置，其中上述晶体管特性变化装置为向上述TFT阵列基板照射电磁波的电磁波照射装置。

4.如权利要求3所述的TFT阵列基板检查装置，其中上述电磁波照射装置为照射可视光区域的光的可视光照射装置。

5.如权利要求2所述的TFT阵列基板检查装置，其中上述晶体管特性变化单元为使上述TFT阵列基板温度上升的加热器。

6.如权利要求1所述的TFT阵列基板检查装置，其中驱动状态检测装置包括：

光电元件，于上述TFT阵列基板的上部隔开间隔配置；

光照射装置，自上述光电元件的上部照射光；以及

光检测器，检测由上述光电元件的反射膜所反射的上述光借由上述TFT阵列基板与上述光电元件之间的电场而产生的光学变化，并输入检测输出至上述检查装置。

7.如权利要求6所述的TFT阵列基板检查装置，其中上述晶体管特性变化装置为将电磁波照射至上述TFT阵列基板的电磁波照射装置。

8.如权利要求7所述的TFT阵列基板检查装置，其中上述电磁波照射装置为照射可视光区域的光的可视光照射装置。

9.如权利要求6所述的TFT阵列基板检查装置，其中上述晶体管特性变化装置为使TFT阵列基板温度上升的加热器。