[发明专利]两层光学记录介质

权利要求书

1.一种两层光学记录介质，包括：

由光束照射侧观察按顺序形成的

第一基板；

第一信息层；

第二信息层；和

第二基板，

其中第一信息层设置有从光束照射侧按该顺序形成的第一下介电层、第一记录层、第一上介电层、第一反射层、和无机介电层；

第二信息层设置有从光束照射侧按该顺序形成的第二下介电层、第二记录层、第二上介电层、和第二反射层；且

第一反射层包含99.8质量％到95.0质量％的含量的Cu和由Ta、Nb、Zr、Ni、Cr、Ge、Au和Mo组成的组中选择的一种或更多的金属且具有4nm到12nm的厚度。

2.根据权利要求1的两层光学记录介质，其中第一信息层和第二信息层以一信息层被彼此光学分离的间隔设置为层状结构，且可以通过从相同的方向的激光照射在两层信息层上进行记录。

3.根据权利要求1到2的任一的两层光学记录介质，其中第一基板是透明的。

4.根据权利要求1到3的任一的两层光学记录介质，其中第一反射层包括99.8质量％到97.0质量％的含量的Cu和由Ta、Nb、Zr、Ni、Cr、Ge、Au和Mo组成的组中选择的一种或更多的金属。

5.根据权利要求1到4的任一的两层光学记录介质，其中第一反射层具有6nm到12nm的厚度。

6.根据权利要求1到5的任一的两层光学记录介质，其中第一记录层和第二记录层的至少之一包括相变记录材料，该相变记录材料包含In、Sb和Ge。

7.根据权利要求1到5的任一的两层光学记录介质，其中第一记录层和第二记录层的至少之一包括相变记录材料，该相变记录材料包含按含量降低顺序的Sb、Te和Ge。

8.根据权利要求6和7的任一的两层光学记录介质，其中Ge的含量为3.5原子％到10原子％。

9.根据权利要求1到8的任一的两层光学记录介质，其中第一记录层具有4nm到16nm的厚度。

10.根据权利要求1到9的任一的两层光学记录介质，其中第一上介电层包含Ta氧化物和Sn氧化物。

11.根据权利要求1到10的任一的两层光学记录介质，其中第一下介电层和第二下介电层均包含ZnS和SiO₂的混合物。

12.根据权利要求1到11的任一的两层光学记录介质，其中光束是具有650nm到660nm的波长的激光束。