[发明专利]传感器有效

专利信息
申请号: 200680003216.7 申请日: 2006-01-12
公开(公告)号: CN101107500A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 埃蒙·海因斯;爱德华·约翰·科因;威廉·A·莱恩 申请(专利权)人: 模拟装置公司
主分类号: G01J3/18 分类号: G01J3/18;G01J5/20;G02B3/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 杨生平;杨红梅
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 传感器
【权利要求书】:

1.一种传感器,具有形成在第一基底中的至少一个传感器元件以及形成在第二基底中的至少一个光学元件,所述第一和第二基底相对于彼此配置为使得所述第二基底在所述至少一个传感器元件上方形成帽,所述至少一个光学元件被配置为将所述帽上的入射辐射引导至所述至少一个传感器元件。

2.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述第一和第二基底是用硅来提供的。

3.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述至少一个传感器元件是红外传感器元件。

4.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述至少一个光学元件是衍射光学元件。

5.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述至少一个光学元件是折射光学元件。

6.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述帽在所述传感器元件周围限定一腔,在该腔内的环境条件和组分可以被指定。

7.根据权利要求6所述的传感器,其中,所述腔被提供处于比环境压力低的压力。

8.根据权利要求6所述的传感器,其中,所述腔被填充有针对所述传感器的应用而选定的气体组分。

9.根据权利要求8所述的传感器,其中,所述气体组分包括其热传导比氮的热传导小的气体。

10.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述光学元件形成在所述帽的邻近所述腔的内表面中。

11.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述光学元件形成在所述帽的远离所述腔的外表面中。

12.根据权利要求1所述的传感器,其中,在所述帽的远离所述腔的外表面和邻近所述腔的内表面中形成光学元件,邻近所述腔的光学元件和远离所述腔的光学元件的组合形成复合透镜。

13.根据权利要求1所述的传感器,其中,形成有多个传感器元件,并且所述光学元件被配置成选择地将特定波长的辐射引导至所述多个传感器元件中预选的传感器元件。

14.根据权利要求1所述的传感器,包括第二帽,所述第二帽定位在所述第一帽上方,所述第二帽包括光学元件,所述第一帽和第二帽的光学元件被配置为提供复合透镜。

15.一种传感器阵列,包括多个传感器,所述传感器中的每一个具有形成在第一基底中的传感器元件以及形成在第二基底中的光学元件,所述第一和第二基底相对于彼此配置为使得所述第二基底在所述传感器元件上方形成帽,所述光学元件被配置为将所述帽上的入射辐射引导至所述感测元件,所述传感器阵列被配置为限定图像平面。

16.一种鉴别传感器,被配置为提供与被感测的预定义的三维形状的确定有关的信号,所述传感器包括:第一传感器元件,其被配置为提供与感测距所述传感器第一距离的物体有关的信号;以及第二传感器元件,其被配置为提供与感测距所述传感器第二距离的物体有关的信号,所述第一和第二传感器元件中的每一个包括形成在第一基底中的至少一个感测元件和形成在第二基底中的至少一个光学元件,所述第一和第二基底相对于彼此配置为使得所述第二基底在所述至少一个感测元件上方形成帽,所述至少一个光学元件被配置为将所述帽上的入射辐射引导至所述至少一个感测元件。

17.根据权利要求16所述的鉴别传感器,其中,所述第一和第二传感器元件中的每一个的所述至少一个感测元件形成在同一基底中。

18.根据权利要求16所述的鉴别传感器,其中,所述物体为人体躯干。

19.一种气体分析装置,包括形成在第一基底中的至少一个传感器元件和形成在第二基底中的至少一个光学元件,所述第一和第二基底相对于彼此配置为使得所述第二基底在所述至少一个传感器元件上方形成帽,所述至少一个光学元件被配置来将所述帽上的入射辐射引导至所述至少一个传感器元件,所述被引导的入射辐射的波长可指示特定气体的存在。

20.根据权利要求19所述的气体分析装置,包括多个传感器元件,以及多个相关联的光学元件,这些组合的传感器元件和光学元件中的每一个针对特定波长分析而配置,使得所述多个传感器元件的输出可用于提供气体波长特征频谱。

21.一种形成传感器的方法,所述方法包括以下步骤:

在第一基底中形成至少一个传感器元件,

在第二基底中形成光学元件,

将所述第一和第二基底接合在一起,使得所述第二基底在所述传感器元件上方提供帽,并且所述光学元件被配置为将所述帽上的入射辐射引导至所述传感器元件上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于模拟装置公司,未经模拟装置公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680003216.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top