[发明专利]高耐热电力用静态设备无效

专利信息
申请号: 200680003248.7 申请日: 2006-01-20
公开(公告)号: CN101107684A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 菅原良孝 申请(专利权)人: 关西电力株式会社
主分类号: H01G4/224 分类号: H01G4/224;H01F27/32;H01G4/18;H01G4/20
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 孙秀武;李炳爱
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 耐热 电力 静态 设备
【权利要求书】:

1.一种高耐热电力用静态设备,其特征在于,

其至少一个构成要素由合成高分子化合物A覆盖,

合成高分子化合物A由多个第三有机硅聚合物相连接而构成,所述第三有机硅聚合物是至少一种第一有机硅聚合物和至少一种第二有机硅聚合物相连接而成的,

第一有机硅聚合物具有通过硅氧烷键形成的交联结构,

第二有机硅聚合物具有通过硅氧烷键形成的线状连接结构,

第三有机硅聚合物由第一有机硅聚合物和第二有机硅聚合物通过硅氧烷键连接而构成,并且具有2万~80万的分子量,

合成高分子化合物A通过加成反应生成的共价键将多个第三有机硅聚合物连接而构成,具有三维立体结构。

2.根据权利要求1所述的高耐热电力用静态设备,其中,第一有机硅聚合物是选自聚苯基倍半硅氧烷、聚甲基倍半硅氧烷、聚甲基苯基倍半硅氧烷、聚乙基倍半硅氧烷以及聚丙基倍半硅氧烷中的至少一种,

第二有机硅聚合物是选自聚二甲基硅氧烷、聚二乙基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷以及聚苯基甲基硅氧烷中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的高耐热电力用静态设备,其中,第一有机硅聚合物的分子量为200~70000,第二有机硅聚合物的分子量为5000~200000,并且第一有机硅聚合物的分子量比第二有机硅聚合物的分子量小。

4.根据权利要求1所述的高耐热电力用静态设备,其中,合成高分子化合物A含有具有高热传导率的绝缘性陶瓷的微粒。

5.根据权利要求1所述的高耐热电力用静态设备,其中,作为所述构成要素的具有电介质和导电体的电容器元件由合成高分子化合物A所覆盖。

6.根据权利要求1所述的高耐热电力用静态设备,其中,作为所述构成要素的线圈由合成高分子化合物A所覆盖。

7.根据权利要求4所述的高耐热电力用静态设备,其中,所述绝缘性陶瓷是选自由氮化铝、氧化铍、氧化铝以及多晶态绝缘性碳化硅中的至少一种。

8.根据权利要求4所述的高耐热电力用静态设备,其中,所述绝缘性陶瓷微粒的粒径为0.01μm~50μm。

9.根据权利要求4所述的高耐热电力用静态设备,其中,所述绝缘性陶瓷微粒向合成高分子化合物A的体积填充率为15体积%~80体积%。

10.根据权利要求4所述的高耐热电力用静态设备,其中,所述绝缘性陶瓷微粒包括粒径不同的多个粒径的微粒,并且粒径比在1∶1/10~1∶1/200的范围。

11.根据权利要求5所述的高耐热电力用静态设备,其中,所述电容器元件在膜的两面形成导电体膜而构成,所述膜由选自聚苯硫醚、聚四氟乙烯以及聚酰亚胺中的至少一种聚合物形成。

12.根据权利要求5所述的高耐热电力用静态设备,其中,所述电容器元件在膜的两面形成导电体膜而构成,所述膜由选自分子量10万~30万的聚苯硫醚、分子量10万~50万的聚四氟乙烯以及分子量10万~50万的聚酰亚胺中的至少一种聚合物形成,并且所述膜中分散有选自钛酸钡、氧化钛以及钛酸锶中的至少一种电介质陶瓷微粒。

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