[发明专利]在氧化物表面上碳纳米管的选择性设置

权利要求书

1.一种在预定表面上选择性设置碳纳米管的方法，包括如下步骤：

在衬底的上金属氧化物表面上选择性设置自组装单层，其中所述自组 装单层不包括硅烷化表面，所述自组装单层是膦酸或异羟肟酸；

在所述自组装单层上或在不包括所述自组装单层的所述衬底的表面 上从分散体沉积碳纳米管；以及

从所述衬底除去多余的碳纳米管。

2.根据权利要求1的方法，其中所述衬底由未构图的金属氧化物构成。

3.根据权利要求2的方法，其中所述选择性设置自组装单层的步骤包 括提供包括所述自组装单层的图形的印记和将所述自组装单层的所述图 形转移到所述金属氧化物。

4.根据权利要求3的方法，其中所述自组装单层是具有分子式 R-PO₃H₂的膦酸，其中R是包括从1到22个碳原子的烷基，或R是包括 从1到12个环的芳族化合物或杂芳族化合物，或具有普适分子式 R¹-CONHOH的异羟肟酸，其中R¹是包括从1到22个碳原子的烷基，或 R¹是包括从1到12个环的芳族化合物或杂芳族化合物。

5.根据权利要求4的方法，其中所述单层是膦酸。

6.根据权利要求5的方法，其中所述膦酸是十六烷基膦酸。

7.根据权利要求4的方法，其中所述单层是异羟肟酸。

8.根据权利要求7的方法，其中，所述异羟肟酸是十六烷基异羟肟酸。

9.根据权利要求3的方法，其中所述碳纳米管的沉积发生在未使用所 述自组装单层压印的所述金属氧化物的区域上。

10.根据权利要求9的方法，其中使用包括所述碳纳米管的分散体执 行所述碳纳米管的沉积。

11.根据权利要求10的方法，其中所述分散体包括有机溶剂或包含有 表面活性剂的水溶剂。

12.根据权利要求1的方法，其中所述上金属氧化物表面是位于所述 衬底上的构图金属氧化物。

13.根据权利要求12的方法，其中使用包括自组装单层前体的溶液执 行所述自组装单层的所述选择性设置。

14.根据权利要求13的方法，其中所述自组装单层前体是具有分子式 R-PO₃H₂的膦酸，其中R是包括从1到22个碳原子的烷基，或R是包括 从1到12个环的芳族化合物或杂芳族化合物，或具有普适分子式 R¹-CONHOH的异羟肟酸，其中R¹是包括从1到22个碳原子的烷基，或 R¹是包括从1到12个环的芳族化合物或杂芳族化合物。

15.根据权利要求14的方法，其中所述单层前体是膦酸。

16.根据权利要求15的方法，其中所述膦酸是十六烷基膦酸。

17.根据权利要求14的方法，其中所述单层前体是异羟肟酸。

18.根据权利要求17的方法，其中所述异羟肟酸是十六烷基异羟肟酸。

19.根据权利要求13的方法，其中所述碳纳米管的沉积发生在不包括 所述自组装单层的所述衬底的区域上。

20.根据权利要求19的方法，其中使用包括所述碳纳米管的分散体执 行所述碳纳米管的沉积。

21.根据权利要求20的方法，其中所述分散体包括有机溶剂或包含有 表面活性剂的水溶剂。