[发明专利]功率金氧半导体组件

权利要求书

1.一种金氧半导体组件，包括：

一漏极；

一基体，其是设置于该漏极上方，该基体具有一基体顶表面；

一源极，其是内嵌于该基体中，从该基体顶表面向下延伸至该基体中；

一栅极沟槽，其是穿过该源极及该基体而延伸至该漏极中；

一栅极，其是设置于该栅极沟槽中；以及

一源极基体接触沟槽，其具有一沟槽壁及一反穿透植入区域，该源极 基体接触沟槽是沿着该沟槽壁设置。

2.如权利要求1所述的金氧半导体组件，其特征在于，其中该源极基体接触 沟槽是与该栅极沟槽邻近，并与该源极相邻。

3.如权利要求1所述的金氧半导体组件，其特征在于，其中该栅极是具有一 栅极顶表面，实质上从该基体顶表面上方延伸。

4.如权利要求1所述的金氧半导体组件，其特征在于，其中该源极基体接触 沟槽是具有一沟槽底部，且该反穿透植入区域并不沿着该沟槽底部设置。

5.如权利要求1所述的金氧半导体组件，其特征在于，其中该源极基体接触 沟槽是具有一沟槽底部，且该反穿透植入区域是沿着该沟槽壁与该沟槽底 部设置。

6.如权利要求1所述的金氧半导体组件，其特征在于，其中该源极基体接触 沟槽是由该基体延伸至该漏极。

7.如权利要求1所述的金氧半导体组件，其特征在于，更包括一接触电极， 其是设置于该源极基体接触沟槽中。

8.如权利要求1所述的金氧半导体组件，其特征在于，更包括一接触电极， 其是设置于该源极基体接触沟槽中，其中该接触电极包括一金属，其适合 提供该源极和基体范围的欧姆接触。

9.如权利要求1所述的金氧半导体组件，其特征在于，更包括一接触电极， 其是设置于该源极基体接触沟槽中，其中该接触电极是包括一金属，其适 合提供该源极和基体范围的欧姆接触，且该接触电极包含一金属，其适用 于在该漏极范围内形成一肖特基晶体管。

10.如权利要求1所述的金氧半导体组件，其特征在于，更包括一接触电极， 其是设置于该源极基体接触沟槽中，其中该接触电极及该漏极可形成一肖 特基晶体管。

11.如权利要求1所述的金氧半导体组件，其特征在于，更包括一接触电极， 其是设置于该源极基体接触沟槽中，其中该接触电极及该漏极可在该组件 之一基体二极管下方形成一肖特基晶体管。

12.如权利要求1所述的金氧半导体组件，其特征在于，其中该源极基体接触 沟槽的形成是用以拥有一平滑外型。

13.如权利要求1所述的金氧半导体组件，其特征在于，其中该反穿透植入区 域中是包含以P型材料重掺杂之一范围。

14.如权利要求1所述的金氧半导体组件，其特征在于，其中该源极的深度不 超过0.5μm。

15.如权利要求1所述的金氧半导体组件，其特征在于，其中该源极基体接触 沟槽是包含一栓塞。

16.一种制造半导体组件的方法，包括以下步骤：

于一基板上形成一硬屏蔽，其具有一顶基板表面；

在该基板中形成一栅极沟槽，其是穿过该硬屏蔽；

于该栅极沟槽中置入栅极材料；

移除该硬屏蔽以留下一栅极结构；

形成一源极基体接触沟槽，其具有一沟槽壁；以及

形成一反穿透植入区域。

17.如权利要求16所述的制造半导体组件的方法，其特征在于，其中该反穿 透植入区域是沿着该沟槽壁形成。

18.如权利要求16所述的制造半导体组件的方法，其特征在于，其中该形成 反穿透植入区域的步骤是包括在该沟槽壁上以一角度植入离子。