[发明专利]半导体器件和制造它的方法有效

专利信息
申请号: 200680003335.2 申请日: 2006-01-18
公开(公告)号: CN101111938A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 鹤目卓也 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 段晓玲;韦欣华
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

设置在衬底上的包括晶体管的元件形成层;

设置在元件形成层上的绝缘膜,其中在绝缘膜中设置槽;

天线,包括电连接到晶体管上的导电膜;和

设置在导电膜上的保护膜,

其中导电膜设置在绝缘膜的至少槽上,使得具有凹形横截面形状。

2.一种半导体器件,包括:

设置在衬底上的包括晶体管的元件形成层;

设置在元件形成层上的绝缘膜,其中在绝缘膜中设置槽使得暴露元件形成层;

天线,包括电连接到晶体管上的导电膜;和

设置在导电膜上的保护膜,

其中导电膜设置在槽上和绝缘膜一部分上,使得具有凹形横截面形状。

3.一种半导体器件,包括:

设置在衬底上的包括晶体管的元件形成层;和

包括绝缘膜和导电膜的天线形成层,其中在绝缘膜中设置槽,

其中导电膜设置在绝缘膜的至少槽上,使得具有凹形横截面形状,

其中元件形成层和天线形成层被彼此附着,和

其中晶体管和导电膜被彼此电连接。

4.一种半导体器件,包括:

设置在衬底上的包括晶体管的元件形成层;

设置在元件形成层上的绝缘膜,其中在绝缘膜中设置槽;和

包括电连接到晶体管上的导电膜的天线;

其中导电膜设置在槽上和绝缘膜一部分上,和

其中设置在槽上的导电膜的厚度不同于设置在绝缘膜一部分上的导电膜的厚度。

5.根据权利要求3的半导体器件,其中用粘合剂使元件形成层和天线形成层彼此附着。

6.根据权利要求1-4中任何一项的半导体器件,其中导电膜具有弯曲的横截面。

7.根据权利要求1-4中任何一项的半导体器件,其中导电膜具有盘绕形状。

8.根据权利要求1-4中任何一项的半导体器件,其中衬底具有柔性。

9.根据权利要求1-4中任何一项的半导体器件,其中半导体器件包括IC芯片。

10.一种制造半导体器件的方法,包括:

在衬底上形成包括晶体管的元件形成层;

在元件形成层上形成绝缘膜;

通过选择性除去绝缘膜在绝缘膜中形成槽;

在绝缘膜和槽上形成导电膜;

通过选择性除去部分导电膜形成导电膜图案;和

形成保护膜以覆盖导电膜图案。

11.一种制造半导体器件的方法,包括:

在衬底上形成分离层;

在分离层上形成包括晶体管的元件形成层;

在元件形成层上形成绝缘膜;

通过选择性除去绝缘膜在绝缘膜中形成槽;

在绝缘膜和槽上形成导电膜;

通过选择性除去部分导电膜形成导电膜图案;

形成保护膜以覆盖导电膜图案;

通过选择性除去保护膜、绝缘膜和元件形成层形成开孔,以通过开孔暴露分离层;和

分离元件形成层和衬底。

12.一种制造半导体器件的方法,包括:

在第一衬底上形成分离层;

在分离层上形成包括晶体管的元件形成层;

在元件形成层上形成绝缘膜;

通过选择性除去绝缘膜在绝缘膜中形成槽;

在绝缘膜和槽上形成导电膜;

通过选择性除去部分导电膜形成导电膜图案;

形成保护膜以覆盖导电膜图案;

通过选择性除去保护膜、绝缘膜和元件形成层形成开孔,以通过开孔暴露分离层;

附着第二衬底到保护膜的表面上;和

分离元件形成层和第一衬底。

13.根据权利要求12的制造半导体器件的方法,其中通过物理手段进行分离步骤。

14.根据权利要求12的制造半导体器件的方法,其中第二衬底具有柔性。

15.根据权利要求10-12中任何一项的制造半导体器件的方法,其中导电膜图案具有盘绕形状。

16.根据权利要求10-12中任何一项的制造半导体器件的方法,其中通过使用丝网印刷形成绝缘膜。

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