[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件(1、2)的方法，包括步骤：

a)提供衬底(10)；

b)将未固化或只部分固化的电介质材料层(20)涂敷到衬底上，所述层(20)具有已暴露的表面(25)，并且所述材料是从在已固化状态时具有较低介电常数的组中选择的；以及

c)对所述电介质材料(20)进行固化，其特征在于所述固化步骤包括：初始部分固化，用于在已暴露表面处或其附近的电介质材料中形成密集层(30)，所述密集层在电介质材料的至少一个其他制造步骤期间用作保护层；以及随后固化，用于对体材料进行固化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在初始部分固化和随后固化之间存在至少一个制造步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述制造步骤包括在所述层(20)中形成凹槽或结构(50)，所述凹槽或结构具有至少部分地由所述材料层(20)限定的壁。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述凹槽或结构通过刻蚀形成.

5.根据权利要求4所述的方法，其中对密集层(30)预先刻蚀以形成用于刻蚀步骤的掩模。

6.根据权利要求3至5任一项所述的方法，其中在形成所述凹槽或结构之后进行随后固化。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在随后固化之后，将导电材料沉积在所述凹槽或结构中。

8.根据权利要求3至7任一项所述的方法，其特征在于所述方法还包括以下步骤：将阻挡层(85)至少涂敷到半导体器件(1、2)的所述凹槽或结构(50)的侧壁上。

9.根据作为权利要求3的从属权利要求的权利要求7或8所述的方法，其特征在于所述方法还包括以下步骤：至少在导电材料(90)上形成覆盖层(95)。

10.根据前述任一权利要求所述的方法，其中所述材料是能够通过固化产生多孔性、且通过随后固化产生多孔性的材料。

11.根据前述任一权利要求所述的方法，其特征在于所述材料(20)包括使用CVD技术涂敷的SiCo:H型材料。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于所涂敷的低k前体材料(20)包括ORION^TM的前体材料。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于所涂敷的低k前体材料(20)包括低k FLOWFILL^TM的前体材料。

14.根据权利要求11至13任一项所述的方法，其特征在于所应用的CVD技术是PE-CVD、LT-CVD、AP-CVD和RT-CVD之一。

15.根据前述任一权利要求所述的方法，其特征在于：在CVD工具中执行所述材料(20)的部分固化步骤。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于在以下的工艺条件下、在CVD工具中执行所述材料(20)的部分固化步骤：

氢气流速＝10至10000sccm，工艺腔室压力＝1至10Torr，RF功率＝10W至10kW，RF频率＝100KHz至100MHz，压盘温度＝300至600℃，电极间隔是5至500mm，以及等离子体时间＝1秒至3分钟。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于在以下的工艺条件下、在CVD工具中执行所述材料(20)的部分固化步骤：

氢气流速＝1600sccm，工艺腔室压力＝4Torr，RF功率＝2kW，RF频率＝13.56MHz，压盘温度＝400℃，电极间隔是20mm，以及等离子体时间＝15秒。