[发明专利]垂直磁性记录介质，该介质的制造过程以及垂直磁性记录和再现装置

说明书

相关申请的交叉引用

要求2005年2月1日申请的日本专利申请2005-24946的优先权。本申请是根据35 U.S.C.§111(a)提交的申请，并根据35 U.S.C.§119(e)要求获得按照35 U.S.C.§111(b)于2005年2月8日提交的临时申请60/650,534的申请日。

技术领域

本发明涉及垂直磁性记录介质、制造这种介质的方法以及利用该垂直磁性记录介质的磁性记录和再现装置。

背景技术

在垂直磁性记录方法中，沿着垂直于该介质的方向排列磁性记录层的易磁化轴，而在常规介质中是在该介质平面内排列磁性记录层的易磁化轴；因此，减少了磁化翻转区域附近中的去磁场，该去磁场是所记录的数据位之间的边界，使得记录密度提高，所记录的状态在磁静力方面更加稳定，并且对热波动的抵抗力提高；因此，本发明适用于提高面密度。

当在基底与垂直磁性记录层之间提供包括软磁性材料的软磁性底层时，就获得了所谓的垂直双层介质的功能，并且能够获得极好的记录性能。这时，该软磁性底层用于为磁头的记录磁场提供返回路径，并且能够提高记录和再现效率。

一般而言，垂直磁性记录介质配置有在基底上提供的软磁性底层，在该基底上按顺序形成软磁性底层、包括Co合金的垂直磁性记录层以及保护层，该软磁性底层将磁性层的易磁化轴定向为垂直于基底平面。然而，近年来，逐渐认识到WATE(宽区域磁道擦除或者宽相邻磁道擦除)现象在垂直磁性记录介质中是一个严重问题。该WATE现象特别对于垂直磁性记录介质而言是一个严重的问题，并且在该现象中，当在特定磁道中记录信号时，在从所记录的磁道延伸几个微米的宽区域上使信号去磁化。已经提出的用于消除这个问题的方法主要是通过软磁性底层的结构或者磁各向异性(例如参见专利文献1)。

还提出了，使软磁性底层的易磁化轴方向尤其沿着基底径向排列，是针对以上问题特别有效的手段。为了实现这种磁性结构，提出了以下方法；

1)沿着径向在磁场下沉积软磁性底层

2)叠置软磁性层和反铁磁性膜作为软磁性底层(参见例如专利文献2和专利文献3)。

使软磁性底层的易磁化轴沿径向排列的一般方法是在磁电管的磁场下沉积软磁性底层，该磁电管生成径向磁通量并且与基底同心放置。本方法对于小基底无效，特别是对于直径为26mm或者22mm的市售基底。当将薄膜同时沉积到多个小基底上时，在均匀磁场下的沉积困难，并且因此该软磁性底层的易磁化轴指向不同方向。

专利文献1：日本待审专利申请，首次公开No.S58-166531

专利文献2：日本待审专利申请，首次公开No.H06-103553

专利文献3：US 2002/0028357

此外，磁场中的薄膜沉积必然存在以下问题。

(1)难以控制磁场在整个径向上均匀。

(2)基底内边缘部分中的磁场较小。

随着未来介质尺寸不断增大，可以预料到(2)将成为严重的问题。

针对这个问题还提出了在磁场下的热处理过程，包括在软磁性底层中叠置MnIr反铁磁性层。然而，这个过程需要较高的温度，并且造成软磁性底层和垂直磁性记录层磁性能的退化。当使用沿着径向进行了均匀磁化的软磁性底层时，读写特性降低，特别是SNR(信噪比)降低。

本发明是考虑到以上的情况而提出的，并且其基于对软磁性底层中磁各向异性作用的重新分析，目的在于提供能够以高密度记录并再现信息的垂直磁性记录介质，以及用于这种介质的方法和磁记录及再现装置。

发明内容

为了解决以上问题，提供了以下发明：

(1)一种垂直磁性记录介质，包括盘形非磁性基底、位于盘形非磁性基底上的软磁性底层以及垂直磁性记录层，该软磁性底层包括至少两个软磁性层和位于该两个软磁性层之间的Ru或Re层；其中，该软磁性底层的易磁化轴具有希望的方向，并且基本上沿着除了非磁性基底的径向之外的方向分布，并且沿着该软磁性底层的易磁化轴方向反铁磁性耦合的偏磁场为10奥斯特(790A/m)或更大。

(2)根据(1)的垂直磁性记录介质，其中该易磁化轴与非磁性基底的径向成夹角θ，并且其中5°＜θ＜90°的部分的面积占整个软磁性底层的面积的90％或更大。

(3)根据(2)的垂直磁性记录介质，其中5°＜θ＜85°的部分的面积占整个软磁性底层的面积的95％或更大。

(4)根据(2)的垂直磁性记录介质，其中该易磁化轴沿着相同方向平行分布。