[发明专利]用于由半导体材料制造定向凝固块的方法和装置

权利要求书

1.用于由半导体材料制造定向凝固块的方法，其中，盛放在坩埚内的熔液在充分利用结晶的情况下、在用来进行定向凝固的过程室内至少从上面得到加热，其特征在于，坩埚的加热间接从上方通过与过程室隔开的上部加热室间接进行。

2.按权利要求1所述的方法，其中，在充分利用结晶的情况下，上部加热室和用于定向凝固的过程室至少从上面得到加热。

3.用于由半导体材料制造定向凝固块的装置，具有内盛熔液的坩埚和至少从上面和侧面环绕坩埚的隔热体，该隔热体至少在坩埚的上方与其相距，还具有至少一个设置在坩埚上方的加热装置，其特征在于，隔热体(2)内部在坩埚(1)上方的区域通过隔板(5)被分成一个过程室(6)和一个处于其上方的上部加热室(7)，该加热室内设置至少一个加热件(8)。

4.按权利要求3所述的装置，其中，通过隔板(5)将上部加热室(7)相对于过程室(6)基本上气密地封闭。

5.按权利要求3或4所述的装置，其中，坩埚(1)支承在支承板(9)上。

6.按权利要求3至5之一所述的装置，其中，隔板(5)处于框架(10)上，框架(10)从侧面以一定距离将坩埚(1)环绕。

7.按权利要求6所述的装置，其中，框架由形成中间隔热壁(10)的隔热材料构成。

8.按权利要求3至7之一所述的装置，其中，框架(10)与形成间隙的隔热体(2)相距设置。

9.按权利要求5所述的装置，其中，坩埚支承板(9)被装入底板(11)内。

10.按权利要求9所述的装置，其中，底板(11)由石墨构成。

11.按权利要求9所述的装置，其中，底板(11)由石墨板和/或石墨膜的组合构成。

12.按权利要求9所述的装置，其中，底板(11)的边缘区域使支承板(9)相对于框架(10)基本上气密地密封。

13.按权利要求3至12之一所述的装置，其中，具有从过程室(6)的上方区域引出的吹气输送通道(12)。

14.按权利要求13所述的装置，其中，吹气输送通道(12)穿过隔板(5)。

15.按权利要求3至14之一所述的装置，其中，坩埚(1)被利用隔热体设置在真空室(3)内。

16.按权利要求14和15所述的装置，其中，吹气输送通道(12)将过程室(6)与真空室(3)直接连接。

17.按权利要求6和权利要求9所述的装置，其中，框架(10)同底板(11)以及坩埚支承板(9)一起可同时被设为流出熔液的接收槽。

18.按权利要求17所述的装置，其中，接收槽的侧壁由框架(10)构成。

19.按权利要求17所述的装置，其中，接收槽的底部由装入底板(11)内的坩埚支承板(9)构成。

20.按权利要求18所述的装置，其中，接收槽的侧壁由吸收硅的石墨毡组成。

21.按权利要求9所述的装置，其中，底板(11)在几何形状水平熔液面(13)的投影上具有作为导热窗的穿孔。

22.按权利要求3至21之一所述的装置，其中，缝隙被设为迷宫式的阶梯，硅可以通过缝隙排出。

23.按权利要求5至22之一所述的装置，其中，支承板(9)由至少一个支承梁(4)支承。

24.按权利要求23所述的装置，其中，支承梁(4)同时被设为输气通道(14、16)。

25.按权利要求24所述的装置，其中，支承梁(4)朝向坩埚底部的面上设置喷嘴开口(16)，通过它们，冷却气体通过被设为输气通道的支承梁(4)对准坩埚底部或者坩埚支承板的底面。

26.按权利要求25所述的装置，其中，冷却气体在循环中通过一个换热器(19)得到再冷却并利用泵(20)被输送到支承梁(4)。