[发明专利]成膜装置，匹配器以及阻抗控制方法

权利要求书

1.一种成膜装置，包括：

电源；

匹配电路；

电极，经由所述匹配电路从所述电源接收电力，通过所述电力在容纳成膜对象的成膜室的内部产生等离子体；以及

控制单元，控制所述匹配电路的阻抗，

所述控制单元，在从所述电源向所述电极开始提供所述电力的第1时刻开始的第1期间内将所述匹配电路的阻抗保持一定，在从所述第1期间结束的第2时刻开始的第2期间内，响应来自所述电极的反射波电力而控制所述匹配电路的阻抗。

2.如权利要求1所述的成膜装置，

所述电源在所述第2时刻之后的第3时刻停止所述电力的提供，

所述控制单元响应作为所述第3时刻的所述匹配电路的阻抗的结束时阻抗而决定下期阻抗，并且，把所述匹配电路的阻抗设定为所述下期阻抗，

所述电源在从所述匹配电路的阻抗被设定为所述下期阻抗之后的第4时刻起开始经由所述匹配电路向所述电极提供电力。

3.如权利要求2所述的成膜装置，

所述控制单元将从所述结束时阻抗仅偏离了预先决定的偏移量后的阻抗，决定为所述下期阻抗。

4.如权利要求2所述的成膜装置，所述控制单元响应从外部输入的选择指令而从多个偏移量中选择一个偏移量，并且，将从所述结束时阻抗仅偏离了所述被选择的一个偏移量后的阻抗，决定为所述下期阻抗。

5.如权利要求1所述的成膜装置，

在所述第1期间及所述第2期间内，在所述成膜室内容纳成膜对象，并且导入在所述成膜对象上形成的膜的原料气体。

6.如权利要求2所述的成膜装置，

所述控制单元在从所述第4时刻起开始的第3期间内将所述匹配电路的阻抗保持一定，

在所述第1期间及所述第2期间内，在所述成膜室内容纳第1成膜对象，并且导入在所述第1成膜对象上形成的膜的原料气体，

在所述第3期间内，在成膜室内容纳与所述第1成膜对象不同的第2成膜对象，并且导入在所述第2成膜对象上形成的膜的原料气体。

7.一种成膜装置，包括：

电源；

匹配电路；

电极，经由所述匹配电路从所述电源接收电力，通过所述电力在容纳成膜对象的成膜室的内部产生等离子体；以及

控制单元，控制所述匹配电路的阻抗，

所述控制单元在从第2时刻起开始的第2期间内，响应来自所述电极的反射波电力而控制所述匹配电路的阻抗，

所述电源在所述第2时刻之后的第3时刻停止所述电力的提供，

所述控制单元响应作为所述第3时刻的所述匹配电路的阻抗的结束时阻抗而决定下期阻抗，并且，将所述匹配电路的阻抗设定为所述下期阻抗，

所述电源从所述匹配电路的阻抗被设定为所述下期阻抗之后的第4时刻起，开始经由所述匹配电路向所述电极提供电力。

8.如权利请求7所述的成膜装置，

在所述第2期间内，在所述成膜室内容纳第1成膜对象，并且，导入在所述第1成膜对象上形成的膜的原料气体，

在从所述第4时刻起开时的第3期间内，在成膜室内容纳与所述第1成膜对象不同的第2成膜对象，并且，导入在所述第2成膜对象上形成的膜的原料气体。

9.一种匹配器，包括：

被连接到电源上的输入端子；

被连接到在成膜室内部产生等离子体的电极上的输出端子；

被连接到所述输入端子和所述输出端子之间的匹配电路；以及

用于控制所述匹配电路的阻抗的控制单元，

所述控制单元在从所述输入端子向所述输出端子的行波电力超过了第1阈值的第1时刻起开始的第1期间内，将所述匹配电路的阻抗保持一定，在所述第1期间结束的第2时刻起开始的第2期间内，响应从所述输出端子向所述输入端子的反射波电力而控制所述匹配电路的阻抗。

10.如权利要求9所述的匹配器，

在所述第2时刻之后，所述行波电力从第2阈值开始降低的时候，所述控制单元响应作为在所述行波电力从第2阈值开始降低的第3时刻的所述匹配电路的阻抗的结束时阻抗而决定下期阻抗，并且，把所述匹配电路的阻抗设定为下期阻抗。

11.一种阻抗控制方法，用于成膜装置，

该成膜装置包括：

匹配电路；以及

经由所述匹配电路接收电力，通过所述电力在容纳成膜对象的成膜室的内部产生等离子体的电极，

该阻抗控制方法，包括：

(A)把所述匹配电路的阻抗设定为第1阻抗的步骤；

(B)在所述(A)步骤后，经由所述匹配电路开始向所述电极提供电力的步骤；

(C)从开始提供所述电力起开始的第1期间内把所述阻抗保持一定的步骤；

(D)在接着所述第1期间的第2期间内，响应来自所述电极的反射波电力而控制所述阻抗的步骤。