[发明专利]用于制备要装配在膜电极组件中的膜的方法和膜电极组件无效

专利信息
申请号: 200680004063.8 申请日: 2006-01-25
公开(公告)号: CN101116214A 公开(公告)日: 2008-01-30
发明(设计)人: G·G·谢勒;L·古布勒;S·A·古尔塞尔 申请(专利权)人: 保罗·谢勒学院
主分类号: H01M8/10 分类号: H01M8/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 卢江;刘春元
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要:
搜索关键词: 用于 制备 装配 电极 组件 中的 方法
【权利要求书】:

1.一种膜电极组件(10),包括夹在阴极层(16)和阳极层(18) 之间的聚合物电解质(2),

其特征在于,

所述聚合物电解质层(2)是具有多个部分(4)的聚合物薄膜, 所述部分(4)被辐射接枝和磺化,由此所述部分(4)通过隔离带(6) 相互分离,由此该隔离带(6)是原始聚合物电解质层(2)的未被处 理的部分。

2.一种用于制备要装配在膜电极组件(10)中的膜(2)的方法, 包括以下步骤:

a)利用具有预定辐照分布的电磁和/或粒子辐射对聚合物薄膜 (2)的部分(4)进行辐照,以便限定被辐照的部分(4)以及在该薄 膜的所述被辐照的部分(4)中形成反应中心、即自由基;由此通过未 被辐照的薄膜部分的隔离带(6)使所述被辐照的部分(4)相互分离;

b)使包括所述被辐照的部分(4)的薄膜(2)暴露于受自由基聚 合作用的单体或单体混合物,以便实现接枝共聚物在所述被辐照的部 分(4)中的形成。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,

选择所述预定辐照分布,以提供从要被辐照的部分(4)的边缘(6,8) 向要被辐照的部分(4)的内部增加的辐照梯度。

4.根据权利要求2或3所述的方法,其中,

所述预定辐照分布是成栅格形的。

5.根据权利要求2或3所述的方法,其中,

要被辐照的部分(4)中的膜的厚度(d2)与保持未被辐照的隔离 带(6)中的膜(2)的厚度(d1)相比被减小。

6.根据前述权利要求2至5中任一所述的方法,其中,

要被辐照的部分经受压印步骤,以便产生三维膜结构。

7.根据前述权利要求2至6中任一所述的方法,其中,

分别利用不同的辐照分布和不同的化合物或其前体重复地执行辐 照以及随后的化学改性步骤。

8.根据前述权利要求2至7中任一所述的方法,其中,

应用另外的步骤、例如接枝组分的磺化,以在所述被辐照的部分 (4)中引入所希望的质子导电功能。

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