[发明专利]利用低VOC硅烷的填料处理

权利要求书

1.一种处理填充材料的方法，其包括使填充材料与硅烷接触，所述硅烷在水解时产生硅烷的含硅水解产物和/或基本不产生显著量的挥发性有机化合物，从而提供处理过的填料。

2.权利要求1的方法，其中硅烷是二醇取代的环状硅烷。

3.权利要求1的方法，其中硅烷具有通式：

[Y[-G(-SiX_uZ^b_vZ^c_w)_s]_r]_n    (式1)

其中每一出现的G独立地选自包括如下的一组基：由烷基、烯基、芳基或芳烷基的一个或多个氢原子被取代所得到的多价基，或者是可通过去掉杂碳的一个或多个氢原子而得到的分子部分，G包含约1-约30个碳原子；

每一出现的X独立地选自-Cl、-Br、R¹O-、R¹C(＝O)O-、R¹R²C＝NO-、R¹R²NO-或R¹R²N-、-R¹、-(OSiR¹R²)_t(OSi R¹R²R³)、和-O(R¹⁰CR¹¹)_fOH，其中每一出现的R¹、R²、R³、R¹⁰、和R¹¹独立地是R；

每一出现的Z^b独立地是(-O-)_0.5和[-O(R¹⁰CR¹¹)_fO-]_0.5，其中每一出现的R¹⁰和R¹¹独立地是R；

每一出现的Z^c独立地为-O(R¹⁰CR¹¹)_fO-，其中每一出现的R¹⁰和R¹¹独立地是R；

每一出现的R独立地选自包含如下的一组基：氢；直链的、环状或支化的烷基基团并且可包含不饱和的烯基、芳基和芳烷基；或者通过去掉杂碳的一个或多个氢原子而得到的分子部分；每一出现的R包含1-约20个碳原子；

每一出现的下标f独立地是1-约15的整数，每一出现的n是1-约100的整数，条件是当n大于1时，v是大于0的整数且Z^b的所有化合价均为硅原子键合，每一出现的下标u独立地是0-约3的整数，每一出现的下标v独立地是0-约3的整数，每一出现的下标w独立地是0-约1的整数，条件是u+v+2w＝3，每一出现的下标r独立地是1-约6的整数，每一出现的下标t独立地是0-约50的整数，及每一出现的下标s独立地是1-约6的整数；每一出现的Y独立地是化合价r的有机官能性基团；

构成环状和桥连的二烷氧基有机官能性硅烷组合物的至少一种环状和桥连二烷氧基有机官能性硅烷包含至少一个出现的Z^b或Z^c。

4.权利要求3的方法，其中Y选自单价的有机官能性基团、二价的有机官能性基团、三价的有机官能性基团、四价的有机官能性基团和多价的有机官能性基团。