[发明专利]制备羟基氧化铁的方法和含有羟基氧化铁的吸附材料

权利要求书

1.一种制备羟基氧化铁的方法，包括步骤：

(I-a)将碱加入到含铁离子的水溶液中，并将其pH值调节到9以下， 以获得含羟基氧化铁的沉淀；

(I-b)在100℃以下的温度下干燥所得沉淀，得到羟基氧化铁；

(I-c)将所得羟基氧化铁与水接触；和

(I-d)在具有80％以上惰性气体浓度的气氛中，在100～280℃的温 度下，加热所得羟基氧化铁。

2.根据权利要求1所述的制备羟基氧化铁的方法，其中将所述步骤(I-a) 中的所述pH值调节到3.5～5.5。

3.根据权利要求1或2所述的制备羟基氧化铁的方法，其中所述步骤 (I-b)中的所述干燥在40～60℃的温度下进行。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的制备羟基氧化铁的方法，其中所 述步骤(I-d)在具有80％以上氮气浓度和20％以下氧气浓度的气氛下进 行。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的制备羟基氧化铁的方法，其中所 述步骤(I-d)在120～260℃的加热温度下进行。

6.一种含羟基氧化铁的吸附材料，包含根据权利要求1～5中任一项所 述方法制得的羟基氧化铁为主要成分。

7.根据权利要求6所述的含羟基氧化铁的吸附材料，其中所述羟基氧 化铁的BET比表面积为100～450m²/g，且通过BJH法测定的孔径分布 (dV/dR)为100～300mm³/g/nm。

8.根据权利要求6或7所述的含羟基氧化铁的吸附材料，其中所述羟 基氧化铁的孔半径峰值为0.8～3nm，且孔半径分布范围为7nm以下。

9.一种回收阴离子物质的方法，包括步骤：

使含有阴离子物质的水与根据权利要求6～8中任一项所述的含羟 基氧化铁的吸附材料接触；

吸附所含的阴离子物质；和

解吸附已被吸附的阴离子物质。

10.一种制备羟基氧化铁的方法，包括步骤：

(II-a)将碱加入到含铁离子的水溶液中，并将其pH值调节到7以下， 以获得含羟基氧化铁的沉淀；和

(II-b)在100℃以下的温度下，在具有20％以下氧气浓度的惰性气 氛中加热所述沉淀，得到羟基氧化铁。

11.根据权利要求10所述的制备羟基氧化铁的方法，其中在30～100℃ 的温度下，在具有50％以上二氧化碳浓度的气氛下进行所述步骤(II-b) 中的所述加热。

12.根据权利要求10或11所述的制备羟基氧化铁的方法，在所述步骤 (II-b)之后还包括下述步骤：

(II-c)将所得羟基氧化铁与水接触；和

(II-d)在具有20％以下氧气浓度的惰性气氛下，在100～250℃的温度 下加热所述步骤(II-c)中所得的羟基氧化铁。

13.根据权利要求12所述的制备羟基氧化铁的方法，其中所述步骤(II-d) 在具有80％以上氮气浓度的惰性气氛下进行。

14.一种含羟基氧化铁的吸附材料，包含根据权利要求10～13中任一项 所述方法制得的羟基氧化铁为主要成分。

15.根据权利要求14所述的含羟基氧化铁的吸附材料，其中所述羟基氧 化铁聚集体的中值颗粒直径为0.3～4.0mm。

16.根据权利要求14或15所述的含羟基氧化铁的吸附材料，其中所述 羟基氧化铁的BET比表面积为100～450m²/g，且通过BJH法测定的孔 径分布(dV/dR)为100～300mm³/g/nm。

17.根据权利要求14～16中任一项所述的含羟基氧化铁的吸附材料，其 中所述羟基氧化铁的孔半径峰值为0.8～3nm，孔半径分布范围为7nm 以下。