[发明专利]多芯平面型光波导及制作和使用该光波导的方法

说明书

技术领域

[0001]本申请要求基于在02/15/2005申请的美国非临时申请号11/085,535的优先权，所述非临时申请全文合并在此供参考。

[0002]本发明的领域涉及光波导。尤其是，我们在此处公开多芯平面型光波导以及制作和使用该波导的方法。

背景技术

[0003]在波导基片上制成的平面型光波导可以包含在各种光学设备中。这种光波导可以制作成有多个芯或芯层。如以下所描述的，在各种情况下使用这种多芯平面型光波导可能是有利的。

[0004]在这个申请中公开的主题可能涉及在以下申请中公开的主题：i)在04/29/2004申请的美国非临时申请号10/836,641(在12/30/2004公布的美国专利申请公布号2004/0264905 A1)；ii)在10/09/2003申请的美国非临时申请号10/682,768(还未公布)；iii)在09/12/2003申请的美国非临时申请号10/661,709(在07/08/2004出版的美国专利申请公布号2004/0129935 A1)；和iv)在06/27/2003申请的美国非临时申请号10/609,018(在03/18/2004公布的美国专利申请公布号2004/0052467 A1)。每个所述非临时申请全文合并在此供参考。

发明内容

[0005]一种多芯光波导包括：基本上平面的波导基片；下波导芯层；上波导芯层；在上波导芯层与下波导芯层之间的波导芯；在基片与下波导芯层之间的下包层；在上波导芯层之上的上包层；和在上波导芯层与下波导芯层之间基本包围波导芯的中包层。下包层，中包层，和上包层中每个包层的折射率小于下波导芯层，上波导芯层，和波导芯的折射率。至少沿给定部分的光波导，上波导芯层和下波导芯层双向延伸的范围远远超出被光波导支持的传播光模的横向范围，被支持光模的横向范围至少部分是由沿给定部分光波导的波导芯宽度确定。该光波导还包含第二波导芯。可以利用各种方法使波导芯变细，为的是实现在波导芯之间光耦合产生的模式转换。该波导可以终止在它的端面，用于与光纤或平面型波导的光学端面耦合，而波导的终端段可以适合于这种端面耦合。

[0006]该波导的制作方法是：在波导基片上制成下包层；在下包层上制成下波导芯层；在下芯层上制成中包层的底部；在中包层的底部上制成波导芯；在波导芯和中包层底部的未曝光区域上制成中包层的顶部；在中包层的顶部上制成上波导芯层；和在上波导芯层上制成上包层。可以按顺序或同时完成各个波导芯，芯层，或包层的空间图形。

[0007]在参照公开的典型实施例之后，与此处公开的多芯平面型光波导有关的目的和优点是显而易见，在附图中说明并在以下的文字描述或权利要求书中公开这些实施例。

附图说明

[0008]图1A-1E是典型多芯光波导的剖面图。

[0009]图2A-2E是典型多芯光波导的剖面图。

[0010]图3A-3E是典型多芯光波导的平面图和剖面图。

[0011]图4A-4D是典型多芯光波导的平面图和剖面图。

[0012]在这些附图中所示的实施例是典型的，因此，不应当把它们解释成对本发明范围和/或所附权利要求书的限制。应当注意，在这些附图中所示结构的相对尺寸或比例在某些情况下是失真的，为的是便于解释这些公开的实施例。

具体实施方式