[发明专利]增强的晶片清洗方法

权利要求书

1.一种用于在单晶片清洗系统中去除后处理残余物的方法，包括：

向设置在衬底之上的近程头提供第一流体；

加热所述第一流体；

在所述衬底的表面和所述近程头的相对表面之间生成所述第一流体的弯月面，以及

使所述衬底在所述近程头下面线性移动。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

控制所述衬底的移动，使得所述第一流体的弯月面与所述衬底的表面接触小于30秒。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

控制所述衬底的移动，使得所述第一流体的弯月面与所述衬底的表面接触小于2秒。

4.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一流体加热至处于大约20℃和大约80℃之间。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

向所述近程头提供第二流体，将所述第二流体施加至位于所述第一流体的施加区后面的衬底的区域。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述施加区的前缘与所述第二流体区域的前缘之间的间隙限定了所述第一流体与所述衬底的表面的滞留时间。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

保持所述第一流体在所述衬底的表面上的基本恒定的滞留时间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底以在大约0.5毫米每秒和大约10毫米每秒之间的线速度移动。

9.一种在单晶片清洗系统中去除后蚀刻残余物的方法，包括以下方法操作：

向设置在衬底之上的近程头提供流体；

加热所述流体；

在所述衬底的表面和所述近程头的相对表面之间生成所述流体的弯月面；

保持所述流体在所述衬底的表面上的小于30秒的基本恒定的滞留时间。

10.根据权利要求9所述的方法，其中加热所述流体的方法操作包括：

升高所述流体的温度至大于35℃。

11.根据权利要求9所述的方法，其中保持所述流体在所述衬底的表面上的小于30秒的基本恒定的滞留时间的方法操作包括：

调整所述弯月面的宽度以调整所述滞留时间。

12.根据权利要求9所述的方法，其中向设置于衬底之上的近程头提供流体的方法操作包括：

使所述流体以小于大约40毫升每分钟的流速流向所述近程头。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述滞留时间期间将无机和有机残余物都从所述衬底的表面去除。

14.根据权利要求9所述的方法，还包括：

旋转所述衬底，同时使所述近程头跨越所述衬底的表面径向移动。

15.一种单晶片清洗系统，包括：

流体源；

在操作上连接至所述流体源的近程头；

衬底支撑件，其被配置为支撑设置于其上的衬底，所述衬底支撑件能够在所述近程头下面移动，以在所述近程头和所述衬底的相对表面之间形成来自所述流体源的流体的弯月面；以及

与所述衬底支撑件通信的控制器，所述控制器通过所述衬底支撑件的移动限定所述流体的弯月面在所述衬底的表面上的滞留时间。

16.根据权利要求15所述的系统，还包括：

用于将来自所述流体源的流体传递给所述近程头的泵。

17.根据权利要求15所述的系统，其中所述近程头包括加热元件，所述加热元件被配置为将所述流体的温度升高至处于大约20℃和大约80℃之间。

18.根据权利要求16所述的系统，其中所述控制器通过操纵所述流体向所述近程头的流速来调整所述流体的弯月面的质量传递特性。

19.根据权利要求15所述的系统，其中所述滞留时间小于30秒。

20.根据权利要求15所述的系统，其中以在大约0.5毫米每秒和10毫米每秒之间的线速度控制所述衬底支撑件的移动。