[发明专利]氮化物发光器件的反向极化发光区域有效

专利信息
申请号: 200680005297.4 申请日: 2006-02-16
公开(公告)号: CN101160669A 公开(公告)日: 2008-04-09
发明(设计)人: Y·-C·沈;M·R·克拉默斯;N·F·加德纳 申请(专利权)人: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 龚海军;刘红
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 氮化物 发光 器件 反向 极化 区域
【权利要求书】:

1.一种结构,包括:

配置在n型区域和p型区域之间的半导体发光层,其中:

发光层包括纤锌矿晶体结构;

发光层具有至少50埃的厚度;和

穿过配置在发光层和p型区域之间的界面,限定为从III-氮化物晶胞的氮面指向III-氮化物晶胞的镓面的纤锌矿c轴指向发光层。

2.根据权利要求1的结构,其中发光层具有50和500埃之间的厚度。

3.根据权利要求1的结构,其中发光层具有60和300埃之间的厚度。

4.根据权利要求1的结构,其中发光层具有75和175埃之间的厚度。

5.根据权利要求1的结构,其中发光层具有大于100埃的厚度。

6.根据权利要求1的结构,其中发光层是III-氮化物层。

7.根据权利要求1的结构,其中发光层是InGaN。

8.根据权利要求1的结构,其中发光层是AlGaN。

9.根据权利要求1的结构,其中发光层具有小于109/cm2的位错密度。

10.根据权利要求1的结构,其中发光层具有小于108/cm2的位错密度。

11.根据权利要求1的结构,其中发光层具有小于107/cm2的位错密度。

12.根据权利要求1的结构,其中发光层具有小于106/cm2的位错密度。

13.根据权利要求1的结构,进一步包括GaN基底,其中n型区域配置在GaN基底和发光层之间。

14.根据权利要求13的结构,其中穿过GaN基底和n型区域之间的界面,纤锌矿晶体c轴指向GaN基底。

15.根据权利要求1的结构,其中n型区域是第一n型区域,该结构进一步包括隧道结和第二n型区域,其中隧道结配置在第二n型区域和p型区域之间。

16.根据权利要求15的结构,其中p型区域在发光层之前生长。

17.根据权利要求1的结构,其中发光层,p型区域,和n型区域通过邻近n型区域配置的粘合体结合到主基底。

18.根据权利要求1的结构,进一步包括电连接到n型区域的第一引线,电连接到p型区域的第二引线,和配置在发光层上方的覆盖物。

19.一种结构,包括:

半导体发光层;

n型区域;

p型区域,该p型区域包括势垒层,其具有大于发光层中的带隙的带隙,以便势垒层的边缘对于发光层中的电荷载流子形成势垒;和

势垒处的负极化诱导电荷;其中:

发光层配置在n型区域和p型区域之间;和

发光层具有至少50埃的厚度。

20.根据权利要求19的结构,其中发光层具有50和500埃之间的厚度。

21.根据权利要求19的结构,其中发光层具有60和175埃之间的厚度。

22.根据权利要求19的结构,其中发光层是III-氮化物层。

23.根据权利要求19的结构,进一步包括电连接到n型区域的第一引线,电连接到p型区域的第;引线,和配置在发光层上方的覆盖物。

24.根据权利要求19的结构,其中势垒层是n型或未掺杂,势垒包括势垒层和p型区域中p型层之间的界面。

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