[发明专利]氮化物发光器件的反向极化发光区域

权利要求书

1.一种结构，包括：

配置在n型区域和p型区域之间的半导体发光层，其中：

发光层包括纤锌矿晶体结构；

发光层具有至少50埃的厚度；和

穿过配置在发光层和p型区域之间的界面，限定为从III-氮化物晶胞的氮面指向III-氮化物晶胞的镓面的纤锌矿c轴指向发光层。

2.根据权利要求1的结构，其中发光层具有50和500埃之间的厚度。

3.根据权利要求1的结构，其中发光层具有60和300埃之间的厚度。

4.根据权利要求1的结构，其中发光层具有75和175埃之间的厚度。

5.根据权利要求1的结构，其中发光层具有大于100埃的厚度。

6.根据权利要求1的结构，其中发光层是III-氮化物层。

7.根据权利要求1的结构，其中发光层是InGaN。

8.根据权利要求1的结构，其中发光层是AlGaN。

9.根据权利要求1的结构，其中发光层具有小于10⁹/cm²的位错密度。

10.根据权利要求1的结构，其中发光层具有小于10₈/cm²的位错密度。

11.根据权利要求1的结构，其中发光层具有小于10₇/cm²的位错密度。

12.根据权利要求1的结构，其中发光层具有小于10₆/cm²的位错密度。

13.根据权利要求1的结构，进一步包括GaN基底，其中n型区域配置在GaN基底和发光层之间。

14.根据权利要求13的结构，其中穿过GaN基底和n型区域之间的界面，纤锌矿晶体c轴指向GaN基底。

15.根据权利要求1的结构，其中n型区域是第一n型区域，该结构进一步包括隧道结和第二n型区域，其中隧道结配置在第二n型区域和p型区域之间。

16.根据权利要求15的结构，其中p型区域在发光层之前生长。

17.根据权利要求1的结构，其中发光层，p型区域，和n型区域通过邻近n型区域配置的粘合体结合到主基底。

18.根据权利要求1的结构，进一步包括电连接到n型区域的第一引线，电连接到p型区域的第二引线，和配置在发光层上方的覆盖物。

19.一种结构，包括：

半导体发光层；

n型区域；

p型区域，该p型区域包括势垒层，其具有大于发光层中的带隙的带隙，以便势垒层的边缘对于发光层中的电荷载流子形成势垒；和

势垒处的负极化诱导电荷；其中：

发光层配置在n型区域和p型区域之间；和

发光层具有至少50埃的厚度。

20.根据权利要求19的结构，其中发光层具有50和500埃之间的厚度。

21.根据权利要求19的结构，其中发光层具有60和175埃之间的厚度。

22.根据权利要求19的结构，其中发光层是III-氮化物层。

23.根据权利要求19的结构，进一步包括电连接到n型区域的第一引线，电连接到p型区域的第；引线，和配置在发光层上方的覆盖物。

24.根据权利要求19的结构，其中势垒层是n型或未掺杂，势垒包括势垒层和p型区域中p型层之间的界面。