[发明专利]氮化物发光器件的反向极化发光区域有效
申请号: | 200680005297.4 | 申请日: | 2006-02-16 |
公开(公告)号: | CN101160669A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | Y·-C·沈;M·R·克拉默斯;N·F·加德纳 | 申请(专利权)人: | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 龚海军;刘红 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化物 发光 器件 反向 极化 区域 | ||
1.一种结构,包括:
配置在n型区域和p型区域之间的半导体发光层,其中:
发光层包括纤锌矿晶体结构;
发光层具有至少50埃的厚度;和
穿过配置在发光层和p型区域之间的界面,限定为从III-氮化物晶胞的氮面指向III-氮化物晶胞的镓面的纤锌矿c轴指向发光层。
2.根据权利要求1的结构,其中发光层具有50和500埃之间的厚度。
3.根据权利要求1的结构,其中发光层具有60和300埃之间的厚度。
4.根据权利要求1的结构,其中发光层具有75和175埃之间的厚度。
5.根据权利要求1的结构,其中发光层具有大于100埃的厚度。
6.根据权利要求1的结构,其中发光层是III-氮化物层。
7.根据权利要求1的结构,其中发光层是InGaN。
8.根据权利要求1的结构,其中发光层是AlGaN。
9.根据权利要求1的结构,其中发光层具有小于109/cm2的位错密度。
10.根据权利要求1的结构,其中发光层具有小于108/cm2的位错密度。
11.根据权利要求1的结构,其中发光层具有小于107/cm2的位错密度。
12.根据权利要求1的结构,其中发光层具有小于106/cm2的位错密度。
13.根据权利要求1的结构,进一步包括GaN基底,其中n型区域配置在GaN基底和发光层之间。
14.根据权利要求13的结构,其中穿过GaN基底和n型区域之间的界面,纤锌矿晶体c轴指向GaN基底。
15.根据权利要求1的结构,其中n型区域是第一n型区域,该结构进一步包括隧道结和第二n型区域,其中隧道结配置在第二n型区域和p型区域之间。
16.根据权利要求15的结构,其中p型区域在发光层之前生长。
17.根据权利要求1的结构,其中发光层,p型区域,和n型区域通过邻近n型区域配置的粘合体结合到主基底。
18.根据权利要求1的结构,进一步包括电连接到n型区域的第一引线,电连接到p型区域的第二引线,和配置在发光层上方的覆盖物。
19.一种结构,包括:
半导体发光层;
n型区域;
p型区域,该p型区域包括势垒层,其具有大于发光层中的带隙的带隙,以便势垒层的边缘对于发光层中的电荷载流子形成势垒;和
势垒处的负极化诱导电荷;其中:
发光层配置在n型区域和p型区域之间;和
发光层具有至少50埃的厚度。
20.根据权利要求19的结构,其中发光层具有50和500埃之间的厚度。
21.根据权利要求19的结构,其中发光层具有60和175埃之间的厚度。
22.根据权利要求19的结构,其中发光层是III-氮化物层。
23.根据权利要求19的结构,进一步包括电连接到n型区域的第一引线,电连接到p型区域的第;引线,和配置在发光层上方的覆盖物。
24.根据权利要求19的结构,其中势垒层是n型或未掺杂,势垒包括势垒层和p型区域中p型层之间的界面。
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