[发明专利]晶片的定位方法

权利要求书

1.一种在具有输送室的真空处理设备中定位具有基准标记(6)的晶片(3)的方法，该输送室包含用于使晶片(3)在一个平面内运动到安置在该输送室旁的处理室的输送装置(2，20，21)，和单个的传感器(1)，其中所述传感器(1)安置在处理室前的输送室内部，用于通过采集晶片(3)棱边上的第一检测点(4)和第二检测点(5)来采集晶片(3)的位置，使得在已知晶片直径时用两个所测得的检测点(4，5)的电子分析获得晶片(3)的真实位置，并且输送装置(2，20，21)将晶片(3)导向所希望的额定位置，其特征在于，将晶片(3)参照其基准标记(6)对准地放置在输送装置(2，20，21)的预先设定的位置上，并且基准标记(6)沿运动方向在晶片(3)上的投影确定了一个禁止区域(22)，并且由此晶片(3)的其余区域定义出一个自由区域，其中将传感器(1)在输送室中安置成，使得禁止区域(22)肯定不被覆盖并且由此使传感器(1)可以只采集晶片棱边的圆形区域，而不是基准标记(6)部分。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述定位是用于将晶片中心(12)导向预先设定的所希望的额定位置的晶片(3)的定心过程。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，首先在第一个晶片(3)上测量，并且在其它后续输送步骤中用其他晶片校正到额定位置。

4.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，对平移的位移误差进行校正。

5.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述输送装置实施旋转运动和旋转中心(20)以及离开和逼近该中心的径向运动，用于将晶片(3)输送和/或定位到处理室和/或闸室中。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述真空处理设备是一种群配置。

7.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，对于每个要测定的晶片(3)只采集晶片棱边上的两个检测点(4，5)。

8.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述晶片(3)通过其棱边在输送平面上的旋转运动和/或直线运动而被引导到传感器(1)，以采集检测点(4，5)。

9.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，选择将检测点(4，5)的位置远远地互相分开设置，但是远小于要被测量的晶片直径。

10.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，将所述晶片支架设计成，使得该支架不干扰测量过程并且优选定位在禁止区域(22)下面。

11.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，每个具有基准标记(6)的晶片(3)被相同取向地放置在输送装置(2，20，21)的支架上，优选沿对着旋转中心(20)的径向的、横向运动(21)的方向校准。

12.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，同时计算所述输送装置(2，20，21)的定位精度的容差带，用于确定所述禁止区域(22)。

13.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，考虑各种晶片尺寸，并且这些晶片尺寸从其基准标记(6)的相同位置出发构成表示自由区域(7)的重叠区域(9)。

14.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，优选对每个晶片(3)采集和存储所测得的晶片(3)的额定位置的偏差，用于为推导出校正措施而识别系统的状态。

15.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，晶片(3)首先在处理室中被加工，随后从处理室输送到输送室，并且在输送室用单个传感器(1)测量以及将测量值用电子装置进行处理，并且当达到和/或超过预先设定的值时，在一个后续处理步骤中采取相应的校正措施。

16.如上述权利要求15所述的方法，其特征在于，处理多个测量步骤并且获得关于误差类型的走向，以及随后确定用于真空处理设备的继续运行方式、尤其用于控制输送装置(2，20，21)的措施。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述走向分析能识别由于输送装置与晶片(3)的错误调节而导致的晶片(3)的接触。