[发明专利]用于监测微结构蚀刻工艺的改进的方法和装置

权利要求书

1.一种适用于蚀刻腔体(3)的蚀刻监测装置(1)，所述蚀刻监测装置(1)包括用于控制蚀刻气体的分压的压力控制器(14)，用于设定所述蚀刻腔体(3)的起始温度的温度控制器(13)和用于监测将要在所述腔体(3)内进行蚀刻的微结构(2)的表面温度的温度计(8)。

2.如权利要求1所述的蚀刻监测装置(1)，其中所述装置(1)进一步包括反馈回路(3b)，以便使用所述温度计(8)来调节所述压力控制器(14)。

3.如权利要求2所述的蚀刻监测装置(1)，其中所述反馈回路(2)还允许所述温度计(8)调节所述温度控制器(13)。

4.如前述权利要求中任何一项所述的蚀刻监测装置(1)，其中所述压力控制器(14)包括气流控制器，以便所述气流控制器提供一种用于调节蚀刻气体流的装置。

5.如前述权利要求中任何一项所述的蚀刻监测装置(1)，其中所述温度计(8)包括非接触式温度传感器。

6.如权利要求5所述的蚀刻监测装置(1)，其中所述非接触式温度传感器包括至少一个高温计。

7.如权利要求5所述的蚀刻监测装置(1)，其中所述非接触式温度传感器是热成像摄像机。

8.一种适用于蚀刻一个或多个微结构的蚀刻腔体(3)，其包括如权利要求1到7中任何一项所述的蚀刻监测装置(1)。

9.如权利要求8所述的蚀刻腔体(3)，其中所述蚀刻腔体(3)进一步包括基座，将待蚀刻的所述微结构设置在所述基座上。

10.如权利要求8或权利要求9所述的蚀刻腔体(3)，其中所述蚀刻腔体(3)进一步包括窗口(6)。

11.如权利要求10所述的蚀刻腔体(3)，其中所述窗口(6)可透过红外电磁辐射。

12.如权利要求10或权利要求10所述的蚀刻腔体(3)，其中所述窗口(6)包括硒化锌。

13.如权利要求8到12中任何一项所述的蚀刻腔体(3)，其中所述蚀刻腔体(3)进一步包括盖子(5)。

14.如权利要求13所述的蚀刻腔体(3)，其中所述窗口(6)位于所述盖子(5)上。

15.如权利要求14所述的蚀刻腔体(3)，其中所述温度计与所述盖子上的所述窗口重合设置。

16.一种监测位于蚀刻腔体(3)内的微结构(2)的蚀刻工艺过程的进展的方法，所述方法包括以下步骤：

1)设定所述腔体的起始温度；

2)控制所述腔体(3)内的蚀刻气体的压强；

3)监测待蚀刻的所述微结构(2)的表面温度的变化。

17.如权利要求16所述的监测微结构(2)的蚀刻工艺的进展的方法，其中设定所述腔体的起始温度的所述步骤包括设定其上设置有所述微结构的基座的温度。

18.如权利要求16或权利要求17所述的监测微结构(2)的蚀刻工艺的进展的方法，其中所述方法进一步包括将所监测的表面温度与预定标准温度曲线相比较的步骤。

19.如权利要求16到18中任何一项所述的监测微结构(2)的蚀刻工艺的进展的方法，其中所述方法进一步包括将待蚀刻的所述微结构(2)的所述表面温度与所述起始温度相比较从而确定蚀刻终点的步骤。

20.如权利要求16到19中任何一项所述的监测微结构(2)的蚀刻工艺的进展的方法，其中监测所述微结构(2)的表面温度的变化的所述步骤包括采用一个或多个遥测温度传感器(8)。

21.如权利要求16到20中任何一项所述的监测微结构(2)的蚀刻工艺的进展的方法，其中控制所述腔体(3)中的所述压强的所述步骤包括将所述压强保持在基本上恒定的值。

22.如权利要求19到21中任何一项所述的监测微结构(2)的蚀刻工艺的进展的方法，其中控制所述腔体(3)内的所述压强的所述步骤包括当所述蚀刻工艺接近所述终点时降低所述腔体(3)中的蚀刻剂气体的所述分压的步骤。

23.如权利要求19到22中任何一项所述的监测微结构(2)的蚀刻工艺的进展的方法，其中控制所述腔体(3)中的所述压强的所述步骤包括控制进入所述腔体中的所述蚀刻气体流的步骤。