[发明专利]具有发射辐射的半导体本体的模块

权利要求书

1.一种模块，具有

单个的发射辐射的半导体本体(1)的有规则的排列，所述半导体本体被施加在支承体(2)的安装面(6)上，其中在两个相邻的发射辐射的半导体本体(1)之间的线连接(5)安装在这两个发射辐射的半导体本体(1)的与所述安装面(6)对置的上侧上。

2.根据权利要求1所述的模块，其中所述有规则的排列相应于由列和行构成的矩阵。

3.根据权利要求2所述的模块，其中所述矩阵是3×4、4×3或者16×9的矩阵。

4.根据权利要求2或者3中任一项所述的模块，其中两个行(17)之间的距离等于或者小于100μm。

5.根据权利要求2至4中的任一项所述的模块，其中在两列(18)之间的距离等于或者小于100μm。

6.根据权利要求2至5中的任一项所述的模块，其中在一列内的所述发射辐射的半导体本体(1)串联连接。

7.根据权利要求2至6中的任一项所述的模块，其中在一行中的两个相邻列中的所述发射辐射的半导体本体(1)并联连接。

8.根据权利要求2至7中的任一项所述的模块，其中发射辐射的半导体本体的上侧具有第一导电类型的层，而在该列中相邻的发射辐射的半导体本体的上侧具有第二导电类型的层。

9.根据权利要求8所述的模块，其中所述支承体(2)在所述安装面(6)上具有金属化物(4)。

10.根据权利要求9所述的模块，其中所述金属化物(4)具有一个或者多个中断(7)。

11.根据权利要求10所述的模块，其中，两个中断之间的距离对应于两倍行间距。

12.根据权利要求2至7中的任一项所述的模块，其中每个发射辐射的半导体本体(1)在上侧具有p接触而且具有n接触。

13.根据权利要求12所述的模块，其中，所述n接触(8b)被施加在所述发射辐射的半导体本体(1)的、设置在支承体(9)上的层序列(13，9，15，11，12，14，13)的上侧(16)上。

14.根据权利要求12或者13中的任一项所述的模块，其中所述p接触(8a)被施加到所述发射辐射的半导体本体(1)的台式结构上。

15.根据权利要求12至14中的任一项所述的模块，其中所述支承体(2)在所述安装面(6)上具有金属化物。

16.根据上述权利要求中的任一项所述的模块，其中在由发射辐射的半导体本体(1)构成的装置之后横向地设置有多个接合垫(3)。

17.根据权利要求16所述的模块，其中所述发射辐射的半导体本体(1)的一部分通过线连接(5)与所述接合垫(3)相连。

18.根据上述权利要求中的任一项所述的模块，其中所述发射辐射的半导体本体(1)是薄膜半导体本体。

19.根据权利要求18所述的模块，其中所述发射辐射的半导体本体(1)包含半导体材料如InGaN或者InGaAlP。

20.根据上述权利要求中任一项所述的模块，其中所述支承体(2)包含电绝缘的材料，其中所述发射辐射的半导体本体(1)安装在所述支承体上。

21.根据权利要求20所述的模块，其中所述支承体(2)包含陶瓷材料。

22.根据权利要求21所述的模块，其中所述支承体(2)包含AlN。

23.根据上述权利要求中的任一项所述的模块，其中所述发射辐射的半导体(1)被造型材料包封。

24.将根据上述权利要求中的任一项所述的模块用于投影应用。