[发明专利]制造具有减小的像素串扰的图像传感器设备的方法

权利要求书

1.一种制造图像传感器设备(5)的方法，该图像传感器设备将辐射(1)的强度转换为取决于所述光强度的电流(i1，i2)，其包括在真空沉积设备中的下述步骤：

在介电的绝缘表面上沉积导电衬垫(7a，7b)的矩阵作为背面电接触，

等离子体辅助暴露所述具有衬垫的表面至不加入包含硅的气体的施主供给气体，

沉积来自硅供给气体的本征硅层(15)，

沉积掺杂层(17)，和

布置对于所述辐射(1)为透明的导电层(19)作为前面接触。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于通过所述等离子体辅助暴露产生一个超薄掺杂区域(13)，其与所述矩阵维度相关的厚度是以给定在衬垫(7a，7b)和光敏薄膜结构(5)之间的欧姆接触但是在衬垫(7a，7b)之间不产生导电的方式被选择的，所述光敏薄膜结构(5)由所述超薄掺杂区域(13)、所述本征硅层(15)和所述掺杂层(17)组成。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于使用PECVD(等离子体增强化学气相)技术沉积光敏薄膜层结构(5)，而使用PVD(物理气相沉积)技术沉积透明导电层(19)。

4.如权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于衬垫(7a，7b)端接CMOS半导体结构(3)，所述结构(3)被介电层(9)覆盖。

5.如权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于等离子体暴露的施主供给气体供给一种元素或具有化学周期表第V族元素的至少一种化合物作为施主。

6.如权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于在PECVD反应器中在下面的条件下以射频频率生成等离子体：温度在150℃到350℃之间、压力在0.1mbar到10mbar之间，使用在H₂中稀释为2％的PH₃气体，其流速在10sccm到1000sccm之间，处理时间在10sec到10min。

7.如权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于在PECVD反应器中在下面的条件下沉积本征硅层(15)：温度在150℃到350℃之间，SiH₃气体流速在10sccm到500sccm之间，压力在0.1mbar到10mbar之间。

8.如权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于在PECVD反应器中在下面的条件下沉积掺杂层(17)作为P掺杂层：温度在150℃到350℃之间，SiH₃气体流速流速在10sccm到500sccm之间和在H₂中稀释为2％的流速在10sccm到500sccm之间的三甲基硼气体(TMB气体)。

9.如权利要求1至8任一项所述的方法，其特征在于在掺杂层(17)的沉积期间，特别对于p型掺杂层，通过加入流速在10sccm到500sccm之间的CH₄气体将碳加入该层中。

10.如权利要求1至9任一项所述的方法，其特征在于在具有PECVD和PVD反应器的聚合工具中在不需要将图像传感器暴露于空气的情况下沉积超薄区域(13)、本征硅层(15)、掺杂层，尤其是p型掺杂层(17)和透明导电层(19)。

11.一种图像传感器设备(5)，其将辐射(1)的强度转换为取决于所述光强度的电流(i1，i2)，该图像传感器设备包括：

在电绝缘的介电层(9)的表面上沉积导电衬垫(7a，7b)的矩阵作为背面电接触，

在所述介电的、包含衬垫(7a，7b)的层(9)的所述表面上的超薄导电区域(13)，其中通过等离子体辅助暴露该表面给不加入包含硅的气体的施主供给气体而生成所述区域(13)，

跟随所述超薄导电区域(13)的本征硅层(15)，

掺杂层(17)，以及

对于所述辐射(1)的透明的导电层(19)。

12.如权利要求11所述的图像传感器设备(5)，其特征在于集成CMOS半导体电路结构(3)的电路，所述电绝缘的、介电层(9)覆盖至少部分所述电路结构(3)，所述衬垫(7a，7b)电耦合到所述电路结构(3)。