[发明专利]荧光体、其制造方法及其应用有效

专利信息
申请号: 200680006387.5 申请日: 2006-02-23
公开(公告)号: CN101128563A 公开(公告)日: 2008-02-20
发明(设计)人: 清水悦雄;吉野正彦;木岛直人 申请(专利权)人: 三菱化学株式会社
主分类号: C09K11/62 分类号: C09K11/62;C09K11/08;C09K11/78;H01L33/00;C09K11/80
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 丁香兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 荧光 制造 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种荧光体,其特征在于,所述荧光体含有以下述通式[1]表示的化学组成的结晶相,并且以在波长420nm~480nm的范围具有峰值的光激发时,由下述式[2]计算出的发光强度的变化率的平均值为1.3以下,

(Ln1-a-bCeaTbb)3M5O12…[1]

其中,Ln表示选自由Y、Gd、Sc、Lu和La组成的组中的至少一种元素,M表示选自由Al、Ga和In组成的组中的至少一种元素,a、b分别为满足0.001≤a≤0.3、0≤b≤0.5的数,

发光强度的变化率=[(I(λ+1)-I(λ))/I(λ)]2…[2]

其中,I(λ)为激发波长λnm处的荧光体的发光强度,I(λ+1)为激发波长(λ+1)nm处的荧光体的发光强度。

2.如权利要求1所述的荧光体,其特征在于,所述发光强度的变化率的平均值为1.1以下。

3.如权利要求1所述的荧光体,其特征在于,所述荧光体的重量平均中值粒径D50为10μm以上。

4.如权利要求1所述的荧光体,其特征在于,所述荧光体的重量平均中值粒径D50为14μm以上。

5.如权利要求1所述的荧光体,其特征在于,所述荧光体至少含有Y作为所述通式[1]的Ln,并且至少含有Al作为所述通式[1]的M。

6.如权利要求1所述的荧光体,其特征在于,所述通式[1]的a、b分别为0.02≤a≤0.15、0.02<b≤0.5。

7.如权利要求5所述的荧光体,其特征在于,所述荧光体至少含有Y和Lu作为所述通式[1]的Ln。

8.如权利要求7所述的荧光体,其特征在于,Lu的组成比为0.03~1,

其中Lu的组成比相当于以下述通式[1A]表示所述通式[1]时的q,

YpLuqCe3aTb3bM5O12…[1A]

所述式[1A]中,M、a、b与通式[1]中的M、a、b意义相同,p、q分别表示Y、Lu的组成,并且YpLuq=Ln3-3a-3b

9.如权利要求5所述的荧光体,其特征在于,所述荧光体至少含有Al和Ga作为所述通式[1]的M。

10.如权利要求9所述的荧光体,其特征在于,Ga的组成比为0.2~3,

其中Ga的组成比相当于以下述通式[1B]表示所述通式[1]时的r,

(Ln1-a-bCeaTbb)3M’5-rGarO12…[1B]

所述式[1B]中,Ln、a、b与通式[1]中的Ln、a、b意义相同,M′表示除Ga以外的M(M与通式[1]中的M意义相同),并且M′5-rGar=M5

11.如权利要求1所述的荧光体,其特征在于,所述荧光体的平均圆形度为0.86以上。

12.如权利要求1所述的荧光体,其特征在于,所述荧光体的物体色在L*、a*、b*表色系统中满足L*≥90、a*≤-7、b*≥55。

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