[发明专利]半导体光调制器

权利要求书

1.半导体光调制器，其特征在于，包括：依次层叠第一n型半导体包层、半导体芯层、半导体包层和第二n型半导体包层而形成的波导结构，

所述半导体包层的电子亲和力小于所述第二n型半导体包层的电子亲和力。

2.根据权利要求1所述的半导体光调制器，其特征在于，所述半导体包层和所述第二n型半导体包层的异质结为II型异质结。

3.根据权利要求1所述的半导体光调制器，其特征在于，所述半导体包层对空穴的势能小于所述半导体芯层对空穴的势能。

4.根据权利要求1所述的半导体光调制器，其特征在于，在所述半导体包层和所述第二n型半导体包层之间插入有第三n型半导体包层，所述第三n型半导体包层对空穴的势能比所述半导体包层小。

5.根据权利要求1所述的半导体光调制器，其特征在于，在所述第一n型半导体包层和所述半导体芯层之间，插入有未掺杂包层。

6.根据权利要求1所述的半导体光调制器，其特征在于，在所述半导体芯层和所述半导体包层之间，插入有未掺杂包层。

7.根据权利要求6所述的半导体光调制器，其特征在于，所述半导体包层对空穴的势能小于所述未掺杂包层对空穴的势能。

8.根据权利要求1所述的半导体光调制器，其特征在于，所述半导体包层为InAlAs。

9.根据权利要求1所述的半导体光调制器，其特征在于，所述半导体包层被掺杂为p型。

10.根据权利要求1所述的半导体光调制器，其特征在于，所述波导结构为高台面波导结构或脊形波导结构。

11.根据权利要求1所述的半导体光调制器，其特征在于，还包括：

分支装置，将入射光分为2路并从两个输出端分别输出，所述两个输出端分别连接到各所述波导结构的输入端；以及

合波装置，与2个所述波导结构分别连接，对从该2个波导结构输出的光进行合波并输出。

12.根据权利要求1所述的半导体光调制器，其特征在于，还包括：

第一电极，形成于所述第一n型半导体包层未形成所述半导体芯层的区域之上；以及

第二电极，形成于所述第二半导体包层上，

所述第一电极及第二电极为行波型电极结构。

13.半导体光调制器，其特征在于，包括：

依次层叠由n型InP组成的第一n型半导体包层、由未掺杂的InP组成的第一未掺杂包层、未掺杂的半导体芯层、和由未掺杂的InP组成的第二未掺杂包层而形成的半导体光波导层；以及

依次层叠由p型InAlAs组成的半导体包层、和由n型InP组成的第二n型半导体包层而形成的光波导结构。

14.半导体光调制器，其特征在于，包括：

依次层叠由n型InP组成的第一n型半导体包层、由未掺杂的InP组成的第一未掺杂包层、未掺杂的半导体芯层、和由未掺杂的InP组成的第二未掺杂包层而形成的半导体光波导层；以及

依次层叠由p型InAlAs组成的半导体包层、由n型InP组成的第二n型半导体包层、和由n型InGaAsP或InGaAlAs组成的第三n型半导体包层而形成的光波导结构。

15.半导体光调制器，具有：依次层叠第一n型半导体包层、半导体芯层、半绝缘型的半导体包层、和第二n型半导体包层而形成的光波导结构，其特征在于，包括：

至少1个p型半导体区域，其为具有p型导电性的区域，并且形成于在所述波导结构的光行进方向上具有一定长度区间的、至少所述第二n型半导体包层的一部分或全部上；以及

电极，形成于所述p型半导体区域之上，并电连接到所述p型半导体区域。

16.根据权利要求15所述的半导体光调制器，其特征在于，所述p型半导体区域，形成于在所述波导结构的光行进方向上具有一定长度区间的、所述第二n型半导体包层及与所述第二n型半导体包层相接的所述半导体包层的一部分上。

17.根据权利要求15所述的半导体光调制器，其特征在于，所述电极，形成于所述p型半导体区域及所述第二n型半导体包层上，所述p型半导体区域及所述n型半导体包层共同地电连接到所述电极。