[发明专利]半导体密封用环氧树脂组合物及半导体装置无效
申请号: | 200680006442.0 | 申请日: | 2006-03-09 |
公开(公告)号: | CN101133120A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 西川敦准 | 申请(专利权)人: | 住友电木株式会社 |
主分类号: | C08L63/00 | 分类号: | C08L63/00;C08K3/04;C08K9/02;C09C1/56;H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 密封 环氧树脂 组合 装置 | ||
1.一种半导体密封用环氧树脂组合物,其含有(A)环氧树脂、(B)酚醛树脂、(C)无机填充材料、(D)固化促进剂以及(E)表面处理后的着色剂,其特征在于,在进行该表面处理之前的着色剂是碳含量为90重量%以上的碳前驱体或DBP吸收量为100cm3/100g以上的炭黑。
2.按照权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,上述表面处理为氧化处理。
3.按照权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,上述表面处理后的着色剂(E)的水萃取液的pH值为2以上、5以下。
4.按照权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,上述表面处理为用选自过二硫酸盐、过氧化氢水溶液、硫酸、硝酸、次氯酸盐、氯酸、亚氯酸及高锰酸盐中的一种或两种以上酸溶液而进行的氧化处理。
5.按照权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,上述炭黑的一次粒径为40nm以上、90nm以下。
6.按照权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,上述炭黑的氮吸附比表面积为20m2/g以上、100m2/g以下。
7.按照权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,上述碳前驱体的电阻值为1×102Ω·cm以上、1×107Ω·cm以下。
8.按照权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,将上述表面处理后的着色剂(E)通过网孔为25μm的筛时的不通过成分为0重量%。
9.一种半导体装置,其特征在于,采用权利要求1~8中任何一项所述的半导体密封用环氧树脂组合物对半导体元件加以密封而成。
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