[发明专利]半导体密封用环氧树脂组合物及半导体装置无效

专利信息
申请号: 200680006442.0 申请日: 2006-03-09
公开(公告)号: CN101133120A 公开(公告)日: 2008-02-27
发明(设计)人: 西川敦准 申请(专利权)人: 住友电木株式会社
主分类号: C08L63/00 分类号: C08L63/00;C08K3/04;C08K9/02;C09C1/56;H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 高龙鑫
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 密封 环氧树脂 组合 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体密封用环氧树脂组合物,其含有(A)环氧树脂、(B)酚醛树脂、(C)无机填充材料、(D)固化促进剂以及(E)表面处理后的着色剂,其特征在于,在进行该表面处理之前的着色剂是碳含量为90重量%以上的碳前驱体或DBP吸收量为100cm3/100g以上的炭黑。

2.按照权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,上述表面处理为氧化处理。

3.按照权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,上述表面处理后的着色剂(E)的水萃取液的pH值为2以上、5以下。

4.按照权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,上述表面处理为用选自过二硫酸盐、过氧化氢水溶液、硫酸、硝酸、次氯酸盐、氯酸、亚氯酸及高锰酸盐中的一种或两种以上酸溶液而进行的氧化处理。

5.按照权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,上述炭黑的一次粒径为40nm以上、90nm以下。

6.按照权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,上述炭黑的氮吸附比表面积为20m2/g以上、100m2/g以下。

7.按照权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,上述碳前驱体的电阻值为1×102Ω·cm以上、1×107Ω·cm以下。

8.按照权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,将上述表面处理后的着色剂(E)通过网孔为25μm的筛时的不通过成分为0重量%。

9.一种半导体装置,其特征在于,采用权利要求1~8中任何一项所述的半导体密封用环氧树脂组合物对半导体元件加以密封而成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电木株式会社,未经住友电木株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680006442.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top