[发明专利]利用互补金属氧化物半导体技术的天线系统

权利要求书

1.一种装置，包括：

互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路器件，该器件具有

包括辐射单元的第一金属层；以及

包括与所述辐射单元耦合的第一导体的第二金属层；

其中所述第一导体和所述辐射单元互相耦合，形成以无线方式传递信号的天线。

2.如权利要求1所述的装置，还包括第三金属层，该层包括在所述第二金属层和所述第一导体以下的第一接地面。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述第一接地面位于所述第二金属层以下，所述辐射单元充分与所述第一导体重叠，形成微带传输线。

4.如权利要求1所述的装置，还包括所述第二金属层上的第一和第二接地面，其中所述第一导体位于所述第一和第二接地面之间，所述辐射单元充分与所述第一导体重叠，形成共面波导传输线。

5.如权利要求4所述的装置，还包括第三金属层，其中所述第一和第二接地面位于所述第三金属层上。

6.如权利要求1所述的装置，还包括在所述第二金属层上的第二导体，该第二导体在横向与所述第一导体分离，其中所述辐射单元位于所述第一和第二导体以上，与第一侧面上所述第一导体的边缘部分重叠，与第二侧面上所述第二导体的边缘部分重叠，形成开槽线传输线。

7.如权利要求1所述的装置，其中所述辐射单元形成天线系统阵列的一部分。

8.如权利要求1所述的装置，其中所述辐射单元是用所述CMOS集成电路器件的顶部金属层上面的突起金属形成的。

9.如权利要求1所述的装置，其中所述通信发生在从1米到1毫米的任意一个毫米波波长上。

10.如权利要求1所述的装置，其中所述第一导体中的电能是通过对所述第一导体进行电激励产生的横电磁模耦合到所述辐射单元的。

11.如权利要求1所述的装置，其中所述第二金属层比所述第一金属层低一个金属层。

12.如权利要求11所述的装置，其中所述第二金属层比所述第一金属层低大约10微米。

13.如权利要求1所述的装置，其中所述CMOS集成电路器件包括130纳米CMOS器件。

14.如权利要求1所述的装置，其中所述CMOS集成电路器件包括90纳米CMOS器件。

15.如权利要求1所述的装置，其中所述CMOS集成电路器件包括65纳米CMOS器件。

16.一种系统，包括：

收发信机；以及

互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路器件，该器件具有

包括辐射单元的第一金属层；以及

包括与所述辐射单元耦合的第一导体的第二金属层；

其中所述第一导体和所述辐射单元互相耦合，形成以无线方式传递信号的天线。

17.如权利要求16所述的系统，还包括第三金属层，该层包括在所述第二金属层和所述第一金属以下的第一接地面。

18.如权利要求17所述的系统，其中所述第一接地面位于所述第二金属层以下，所述辐射单元充分与所述第一导体重叠，形成微带传输线。

19.如权利要求16所述的系统，还包括所述第二金属层上的第一和第二接地面，其中所述第一导体位于所述第一和第二接地面之间，所述辐射单元充分与所述第一导体重叠，形成共面波导传输线。

20.如权利要求19所述的系统，还包括第三金属层，其中所述第一和第二接地面位于所述第三金属层上。

21.如权利要求16所述的系统，还包括在所述第二金属层上的第二导体，该第二导体在横向与所述第一导体分离，其中所述辐射单元位于所述第一和第二导体以上，与第一侧面上所述第一导体的边缘部分重叠，与第二侧面上所述第二导体的边缘部分重叠，形成开槽线传输线。