[发明专利]芯片尺寸封装

权利要求书

1.一种用于制造半导体封装的方法，包括：

在传导外壳的内部形成框架以对所述外壳内部的用于收纳半导体冲模的收纳区进行定义，所述框架不会由于液相焊锡而变湿；

提供在其一个表面上具有第一功率电极的半导体设备；

将焊膏块放入至所述表面区域与所述第一功率电极之间；

使所述焊膏回流；以及

使所述焊膏凝固。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体设备为功率半导体设备。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体设备为功率金属氧化物半导体场效应管。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体设备为绝缘栅双极型晶体管。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体设备为二极管。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述框架为按滴沉积。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述框架为印刷模版。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述传导外壳包括网膜部分以及环绕所述网膜部分的壁，所述表面区域定义在所述网膜部分上。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述传导外壳由铜组成。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述传导外壳镀有银或金。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述传导外壳包括涂有高热吸收电介质的外表面。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述电介质为聚合物。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述电介质为着色聚合物。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述框架由阻焊组成。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述框架由钝化材料组成。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述钝化材料为氧化物。

17.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括使高热吸收电介质按滴沉积在所述传导外壳的外表面上。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述热导电介质为高导热性聚合物。

19.一种功率半导体封装，包括：

传导外壳，该传导外壳具有用于收纳功率半导体冲模的内表面；

功率半导体冲模，该功率半导体冲模具有通过导电粘合剂而电气地且机械地附着于所述内表面上的第一功率电极；以及

高热吸收电介质，该高热吸收电介质位于所述传导外壳的外表面上。

20.根据权利要求19所述的封装，其中所述电介质由聚合物组成。

21.根据权利要求19所述的封装，其中所述半导体冲模为功率金属氧化物半导体场效应管、绝缘栅双极型晶体管以及二极管中的一者。

22.根据权利要求19所述的封装，其中所述电介质为着色聚合物。