[发明专利]用于制造薄层结构的方法

权利要求书

1.一种用于制造薄层结构的方法，

其中，在具有大量没有贯穿衬底层的整个厚度的孔(301)的、大孔的支承结构衬底(300)中，在所述支承结构衬底(300)的孔壁(302)的表面和孔底部(305)的表面涂覆牺牲层(303)，

其中，接下来，在背面部分地去除所述支承结构衬底(300)，从而在所述支承结构衬底(300)的所述背面上暴露出所述牺牲层(303)的区域，

其中，在所述支承结构衬底(300)的所述背侧面上以及在所述牺牲层(303)被暴露出来的所述区域上涂覆薄层(306)，

其中，相对于所述薄层(306)选择性地将所述孔中的所述牺牲层(303)去除，从而由所述薄层(306)构成所述孔底部(305)。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，通过热氧化所述孔壁(302)和所述孔底部(305)而构成所述牺牲层(303)。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中，通过化学气相沉积法将所述牺牲层(303)涂覆到所述支承结构衬底(300)的所述孔壁(302)和所述孔底部(305)上。

4.根据权利要求3所述的方法，

其中，通过原子层外延法将所述牺牲层(303)涂覆到所述支承结构衬底(300)的所述孔壁(302)和所述孔底部(305)上。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，

其中，由硅材料制成所述支承结构衬底(300)。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中，可以涂覆二氧化硅层作为所述牺牲层(303)，特别是通过热氧化将所述牺牲层涂覆到所述支承结构衬底(300)的所述孔壁(302)和所述孔底部(305)上。

7.根据权利要求5所述的方法，

其中，可以涂覆氮化硅层作为所述牺牲层(303)，特别是通过CVD方法将所述牺牲层涂覆到所述支承结构衬底(300)的所述孔壁(302)和所述孔底部(305)上。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，

其中，由铝材料制成所述支承结构衬底(300)。

9.根据权利要求8所述的方法，

其中，所述牺牲层(303)是氧化铝层，通过ALD方法将所述氧化铝层涂覆到所述支承结构衬底(300)的所述孔壁(302)和所述孔底部(305)上。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，

其中，通过使用回蚀法在背面部分地去除所述支承结构衬底(300)。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，

其中，通过溅射法或蒸镀法或等离子CVD法涂覆所述薄层(306)。

12.根据权利要求11所述的方法，

其中，涂覆金刚石薄层作为所述薄层(306)。

13.根据权利要求11所述的方法，

其中，涂覆金属薄层作为所述薄层(306)。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，

其中，涂覆具有很多部分薄层的层序列作为所述薄层(306)。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，

其中，通过蚀刻选择性地去除所述牺牲层(303)。