[发明专利]通过CVD蚀刻与淀积顺序形成的CMOS晶体管结区

权利要求书

1.一种方法，包括：

去除邻近栅电极的衬底的第一部分以形成第一结区，并去除邻近所述栅电极的所述衬底的不同的第二部分以形成衬底中的第二结区；以及

在第一结区中和在第二结区中形成晶态材料的外延层；

其中，所述去除和形成在同一处理室中且不破坏处理室密封的状态下进行。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述去除包括用氯气、氢氯酸、氢气和氮气中的至少一种进行蚀刻。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述去除包括用纯氯气进行蚀刻以形成所述衬底的第一侧壁，该第一侧壁邻近所述栅电极并与第一结区中的衬底的第一基表面形成128度到123度之间的角度，并形成所述衬底的第二侧壁，该第二侧壁邻近所述栅电极并与第二结区中的衬底的第二基表面形成128度到123度之间的角度。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述形成包括用硅烷气、乙硅烷气、二氯代硅烷气、锗烷气和甲基甲硅烷气中的至少一种气体进行选择性淀积，以将硅合金或硅单质材料层化学结合到第一侧壁表面和第二侧壁表面上并结合到第一基表面和第二基表面上。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述去除和形成在化学气相淀积(CVD)室、批处理超高真空(UHV)CVD室、冷壁UHV CVD室、低压(LP)CVD室、快热(RT)CVD室、低压(RP)CVD室、和气压(AP)CVD室之一中，在所述室具有500到800摄氏度之间的温度和1E-4托到1000托之间的压力的期间进行。

6.一种方法，包括：

去除衬底的第一部分，以在所述衬底的邻近所述栅电极的第一衬底表面内形成第一尖端区；以及

去除衬底的不同的第二部分，以在所述衬底的邻近所述栅电极的第二衬底表面内形成第二尖端区；

其中，第一尖端区界定于与所述栅电极的下表面成约54.7度角的第一刻面，第二尖端区界定于与所述下表面形成约54.7度角的第二刻面。

7.如权利要求6所述的方法，其中，第一刻面和第二刻面形成为按传统的密勒指数命名法定义的平面{1，1，1}。

8.如权利要求6所述的方法，其中，所述去除包括：与在所述栅电极和所述衬底的上表面之间形成的栅介质层的下表面相接触地在其之下形成第一刻面，并与在所述栅介质层的下表面相接触地在其之下形成第二刻面。

9.如权利要求6所述的方法，其中，第一刻面包含第一尖端，它由在所述栅电极和衬底的上表面之间形成的栅介质层的下表面下形成的淀积材料制成；第二刻面包含第二尖端，它由在所述下表面下形成的淀积材料制成。

10.如权利要求6所述的方法，其中，所述衬底包含硅、多晶硅和单晶硅之一的材料；所述形成包括形成一层晶格间距大于所述衬底材料的晶格间距的硼掺杂硅锗，或形成一层晶格间距小于所述衬底材料的晶格间距的磷掺杂硅-碳合金。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述形成包括形成足够的硼掺杂硅锗层以导致第一刻面和第二刻面之间的衬底的沟道中的压缩应变，或形成足够的磷掺杂硅-碳合金层以导致第一刻面和第二刻面之间的衬底的沟道中的拉伸应变。

12.一种系统，包括：

电气且物理连接到印刷电路板的半导体微处理器，所述微处理器包含晶体管，所述晶体管包含：

衬底；

所述衬底上的器件，其中包含：

衬底中邻近所述栅电极的单晶硅的第一结区；

衬底中邻近所述栅电极的不同的第二结区；以及

在第一结区和第二结区之间的硅衬底的上表面上的栅介质层；

其中，邻近所述栅电极的第一结区的第一刻面与所述栅介质层的下表面形成52度到57度之间的角度，邻近所述栅电极的第二结区的第二刻面与所述下表面形成52度到57度之间的角度。

13.如权利要求12所述的系统，其中，

第一结区和第二结区界定于所述上表面以下的深度；并且

还包含设置在第一结区和第二结区内的材料，所述材料的表面高出所述上表面达所述深度的10％到50％之间的距离。