[发明专利]抗蚀剂下层膜用组合物及其制造方法

权利要求书

1.抗蚀剂下层膜用组合物，其特征在于含有下述通式(A)表示的至少一种硅烷化合物的水解物和/或其缩合物，

R¹_bR²_cSi(OR³)_4-a  ...(A)

式(A)中，R¹表示具有至少一个不饱和键的1价有机基团，R²独立地表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团，R³独立地表示1价有机基团，R¹为OR³基以外的基团，a表示1～3的整数，b表示1～3的整数，c表示0～2的整数，且a＝b+c。

2.抗蚀剂下层膜用组合物，其特征在于含有混合物的水解物和/或其缩合物，所述混合物包含下述通式(A)表示的至少一种硅烷化合物、和下述通式(B)表示的至少一种硅烷化合物和/或下述通式(C)表示的至少一种硅烷化合物，

R¹_bR²_cSi(OR³)_4-a    ...(A)

式(A)中，R¹表示具有至少一个不饱和键的1价有机基团，R²独立地表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团，R³独立地表示1价有机基团，R¹为OR³基以外的有机基团，a表示1～3的整数，b表示1～3的整数，c表示0～2的整数，且a＝b+c，

Si(OR³)₄  ...(B)

式(B)中，R³表示1价有机基团，

R⁴_dSi(OR³)_4-d  ...(C)

式(C)中，R³表示1价有机基团，R⁴独立地表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团，但是，R¹及OR³基除外，d表示1～3的整数。

3.抗蚀剂下层膜用组合物，其特征在于含有(I)和(II)，所述(I)含有选自下述通式(A)表示的硅烷化合物、下述通式(B)表示的硅烷化合物及下述通式(C)表示的硅烷化合物中的至少两种成分的混合物的水解物和/或其缩合物，和所述(II)含有选自下述通式(A)表示的硅烷化合物、下述通式(B)表示的硅烷化合物及下述通式(C)表示的硅烷化合物中的至少一种成分的混合物的水解物和/或其缩合物，但是，成分(I)和成分(II)不同，用于调制上述成分(I)及(II)的混合物中的至少一方含有下述通式(A)表示的硅烷化合物，

R¹_bR²_cSi(OR³)_4-a  ...(A)

式(A)中，R¹表示具有至少一个不饱和键的1价有机基团，R²独立地表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团，R³独立地表示1价有机基团，R¹为OR³基以外的基团，a表示1～3的整数，b表示1～3的整数，c表示0～2的整数，且a＝b+c，

Si(OR³)₄  ...(B)

式(B)中，R³表示1价有机基团，

R⁴_dSi(OR³)_4-d  ...(C)

式(C)中，R³表示1价有机基团，R⁴独立地表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团，但是，R¹及OR³基除外，d表示1～3的整数。