[发明专利]形成用于CMOS器件的自对准的双氮化硅衬垫的方法

权利要求书

1.一种形成用于互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的自对准的双氮化硅衬垫的方法，该方法包括：

在第一极性类型器件(102)和第二极性类型器件(104)上形成第一类型氮化物层(116)；

在所述第一类型氮化物层(116)上形成形貌层(118)；

图案化并除去所述第一类型氮化物层(116)和所述形貌层(118)在所述第二极性类型器件(104)上的部分；

在所述第二极性类型器件(104)上以及在所述第一极性类型器件(102)上的所述形貌层(116)的剩余部分上形成第二类型氮化物层(120)，以限定沿所述形貌层(118)的侧壁的第二类型氮化物材料的立柱(124)，所述第二类型氮化物层(120)与所述第一类型氮化物层(116)的侧壁相接触；

除去所述形貌层(118)；以及

除去所述立柱(124)。

2.根据权利要求1的方法，其中，所述第一类型氮化物层(116)为拉伸氮化物层，所述第二类型氮化物层(120)为压缩氮化物层。

3.根据权利要求2的方法，其中，所述第一极性类型器件(102)为NFET，所述第二极性类型器件(104)为PFET。

4.根据权利要求3的方法，其中，所述拉伸氮化物层(116)和所述压缩氮化物层(120)以大约为所期望的其最终厚度的两倍的初始厚度形成。

5.根据权利要求4的方法，其中，所述除去所述立柱(124)的步骤还使所述拉伸氮化物层(116)和所述压缩氮化物层(120)的所述初始厚度被减少到所述的所期望的其最终厚度。

6.根据权利要求5的方法，其中，所述形貌层(118)还包括氧化物层和多晶硅层之一。

7.根据权利要求6的方法，还包括：

在所述压缩氮化物层(120)上涂敷光刻胶材料；

使所述光刻胶材料凹进至低于所述压缩氮化物层(120)在所述形貌层(118)上方的部分的水平面；

除去所述压缩氮化物层(120)在所述形貌层(118)上方的所述部分；以及

在除去所述立柱(124)之前除去所述光刻胶材料和所述形貌层(118)。

8.根据权利要求6的方法，其中，所述形貌层(118)以大约5000埃的厚度形成。

9.根据权利要求3的方法，其中，所述压缩氮化物层(120)以大约为所期望的其最终厚度的两倍的初始厚度形成，并且所述的拉伸氮化物层(116)以大约为所期望的其最终厚度的初始厚度形成。

10.根据权利要求9的方法，其中，所述除去所述立柱(124)的步骤还使所述压缩氮化物层(120)的所述初始厚度被减少到所述的所期望的其最终厚度。

11.根据权利要求10的方法，还包括在形成所述形貌层(118)之前，在所述拉伸氮化层材料(116)上形成氧化物衬垫，其中，所述图案化也除去所述氧化物衬垫在所述PFET器件上的部分。

12.根据权利要求11的方法，其中，所述形貌层(118)还包括多晶硅层。

13.根据权利要求12的方法，还包括：

在所述压缩氮化物层(120)上涂敷光刻胶材料；

使所述光刻胶材料凹进至低于所述压缩氮化物层(120)在所述形貌层(118)上方的部分的水平面；

除去所述压缩氮化物层(120)在所述形貌层(118)上方的所述部分；以及

在除去所述立柱(124)之前除去所述光刻胶材料和所述形貌层(118)；

其中，所述氧化物衬垫材料在除去所述立柱(124)和减少所述压缩氮化物层(120)厚度的期间保护所述拉伸氮化物层(116)。

14.根据权利要求12的方法，其中，所述形貌层(118)以大约3000埃的厚度形成。

15.根据权利要求3的方法，其中，所述拉伸氮化物层(116)和所述压缩氮化物层(120)以大约为所期望的其最终厚度的初始厚度形成。

16.根据权利要求15的方法，还包括在形成所述形貌层(118)之前，在所述拉伸氮化物材料(116)上形成氧化物衬垫，其中，所述图案化也除去所述氧化物衬垫在所述PFET器件上的部分。