[发明专利]荧光体及其制备方法、和使用该荧光体的发光装置有效

专利信息
申请号: 200680007164.0 申请日: 2006-03-03
公开(公告)号: CN101133137A 公开(公告)日: 2008-02-27
发明(设计)人: 永富晶;坂根坚之 申请(专利权)人: 同和电子科技有限公司
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64;C09K11/08;H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 宋莉;贾静环
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 荧光 及其 制备 方法 使用 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种荧光体,由通式MmAaBbOoNn:Z表示(M元素是价数为II价的1种以上的元素,A元素是价数为III价的1种以上的元素,B元素是价数为IV价的1种以上的元素,O是氧,N是氮,Z是1种以上的活化剂),其中,

4.0<(a+b)/m<7.0,a/m≥0.5,b/a>2.5,n>o,n=2/3m+a+4/3b-2/3o,用波长为300nm~500nm范围的光激发时,发光光谱中的峰值波长为500nm~650nm的范围。

2.权利要求1所述的荧光体,其中,0.5≤a/m≤2.0,3.0<b/m<7.0,0<o/m≤4.0。

3.权利要求1或2所述的荧光体,其中,0.8≤a/m≤1.5,3.0<b/m<6.0,0<o/m≤3.0。

4.权利要求1~3中任一项所述的荧光体,其中,1.1<a/m≤1.5,3.5≤b/m≤4.5,0<o/m≤1.5。

5.权利要求1~4中任一项所述的荧光体,其中,

M元素是选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、原子价为II价的稀土元素中的一种以上的元素;

A元素是选自Al、Ga、In、Tl、Y、Sc、P、As、Sb、Bi中的一种以上的元素;

B元素是选自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Mo、W、Cr、Pb、Zr中的一种以上的元素;

Z元素是选自稀土元素、过渡金属元素中的一种以上的元素。

6.权利要求1~5中任一项所述的荧光体,其中,

M元素是选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的一种以上的元素;

A元素是选自Al、Ga、In中的一种以上的元素;

B元素是Si和/或Ge;

Z元素是选自Eu、Ce、Pr、Tb、Mn中的一种以上的元素。

7.权利要求1~6中任一项所述的荧光体,其中,M元素是Sr,A元素是Al,B元素是Si,Z元素是Eu和/或Ce。

8.权利要求1~7中任一项所述的荧光体,其中,该荧光体表示为通式MmAaBbOoNn:Zz时,M元素和Z元素的摩尔比z/(m+z)的值为0.0001~0.5。

9.权利要求1~8中任一项所述的荧光体,其中,含有19.5重量%~29.5重量%的Sr、5.0重量%~16.8重量%的Al、0.5重量%~8.1重量%的O、22.6重量%~32.0重量%的N、超过0.0且为3.5重量%以下的Ce,并且以波长350nm~500nm范围的1种以上的单色光或连续光作为激发光进行照射时,发光光谱中的峰值波长在500~600nm的范围,发光光谱的色度(x,y)的x为0.3000~0.4500,y为0.5000~0.6000的范围。

10.权利要求1~8中任一项所述的荧光体,其中,含有19.5重量%~29.5重量%的Sr、5.0重量%~16.8重量%的Al、0.5重量%~8.1重量%的O、22.6重量%~32.0重量%的N、超过0.0且为3.5重量%以下的Eu,并且以波长350nm~500nm范围的1种以上的单色光或连续光作为激发光进行照射时,发光光谱中的峰值波长在550~650nm的范围,发光光谱的色度(x,y)的x为0.4500~0.6000,y为0.3500~0.5000的范围。

11.权利要求10所述的荧光体,其中,以波长350nm~500nm范围的单色光作为激发光进行照射时,将照射使吸收该激发光而发光的光谱中的最大峰值的峰强度为最大的激发光时的该最大峰值的峰强度作为PH、将照射使吸收该激发光而发光的光谱中的最大峰值的峰强度为最小的激发光时的该最大峰值的峰强度作为PL时,(PH-PL)/PH×100≤20。

12.权利要求1~11中任一项所述的荧光体,其中,将在25℃下以波长为300nm~500nm范围的规定的单色光作为激发光进行照射时的发光光谱中的最大峰值的相对强度值作为P25,将在200℃下以上述单色光作为激发光进行照射时的上述最大峰值的相对强度值作为P200时,(P25-P200)/P25×100≤35。

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