[发明专利]结晶性透明导电性薄膜、其制造方法、透明导电性薄膜及触摸面板有效

专利信息
申请号: 200680007188.6 申请日: 2006-12-27
公开(公告)号: CN101133463A 公开(公告)日: 2008-02-27
发明(设计)人: 梨木智刚;野口知功;菅原英男 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 结晶 透明 导电性 薄膜 制造 方法 触摸 面板
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种结晶性透明导电性薄膜及其制造方法。上述结晶性透明导电性薄膜除了用于液晶显示器、电致发光显示器等新的显示方式或触摸面板等透明电极的防静电干扰或电磁波遮断等之外,还用于透明物品的防静电干扰或电磁波遮断等。

背景技术

一直以来,作为透明导电性薄膜,从透明性优良的方面考虑使用氧化铟锡(ITO)薄膜。透明导电性薄膜虽然上述用途,不过例如在用于触摸面板等情况下,从位置检测精度、消耗电力的方面考虑,要求有高的电阻值。同时,透明导电性薄膜因为用于上述用途,所以要求满足在高温、高湿环境下的可靠性(电阻值变化率越小可靠性越高)。并且,就透明导电性薄膜而言,为了改善其可靠性,可以在形成该膜之后,将该膜结晶化。

不过,使用了氧化铟锡薄膜的透明导电性薄膜,不仅电阻值低,而且上述可靠性也不充分。对于上述可靠性,可以通过增加透明导电性薄膜的厚度来改进,但如果增加上述膜厚,透明性或电阻值下降,因此不优选。另外,通过提高氧化铟锡薄膜中氧化锡的比例,可以改善透明导电性薄膜的上述可靠性,但是如果过度增加氧化锡的比例,从结晶化所需要的时间非常长的方面来看,不优选。

对于上述问题,提出了在氧化铟锡薄膜中掺杂氮的方案(专利文献1)。该专利文献1中记载有含氮的透明导电性薄膜具有通过使含氮量相对于氧化铟锡至少为0.25重量%以上来提高透明导电性薄膜的电阻值或上述可靠性的效果。但是,专利文献1中所述的透明导电性薄膜是无定形的,因此为了将其结晶化进一步改善上述可靠性而结晶化所需的时间非常长。

专利文献1:特开平4-308612号公报

发明内容

本发明的目的在于,提供具有高电阻值且在高温、高湿环境下的可靠性良好的结晶性透明导电性薄膜。

另外,本发明的目的还在于,提供使用了上述结晶性透明导电性薄膜的透明导电性薄膜及使用了该薄膜的触摸面板。

进而,本发明的目的还在于,提供具有高电阻值且在高温、高湿环境下的可靠性良好、制造效率高的结晶性透明导电性薄膜的制造方法。

本发明人等为了能够达到上述目的而进行了潜心研究,结果发现,利用下面所示的结晶性透明导电性薄膜及其制造方法等,可以达到上述目的的事实,以至于完成了本发明。

即本发明涉及一种结晶性透明导电性薄膜,其主成分是相对于氧化铟和氧化锡的总量以9重量%以下的比例含有氧化锡的氧化铟锡,其特征在于,该结晶性透明导电性薄膜以0.45原子%以下的比例含有氮。

上述本发明的结晶性透明导电性薄膜,是以规定量以下的比例含有氧化锡的氧化铟锡,将由含有氧化锡引起的电阻值降低控制成较小,可以得到电阻值高的薄膜。并且,本发明的结晶性透明导电性薄膜由于含有氮,所以可以进一步提高电阻值。另外,本发明的透明导电性薄膜由于具有结晶性,因此与无定形的透明导电性薄膜相比,在高温、高湿环境下的可靠性良好。另外,通过含有氮而上述可靠性提高。进而,由于在结晶性透明导电性薄膜中以0.45原子%以下的非常少的比例含有上述氮,因此并不会降低在透明导电性薄膜的结晶化工序中的结晶速度。在氮的含量超过0.45原子%的情况下,结晶速度下降,不优选。另外,如上面所述,由于结晶性透明导电性薄膜中的含氮量非常少,因此存在作为比检测界限小的微量成分而被含有的情况,但即便在含氮量为如上所述的检测界限以下的情况下,也可以通过使制造透明导电性薄膜时的气氛中含有氮,来推知结晶性透明导电性薄膜中含有氮。

另外,本发明还涉及一种透明导电性薄膜,其特征在于,上述结晶性透明导电性薄膜设置在透明薄膜基材的一面。

另外,本发明涉及一种触摸面板,是借助隔离件按照使导电性薄膜彼此对向的方式来对向配置具有导电性薄膜的一对面板而成,其特征在于,面板的至少一方由上述透明导电性薄膜形成。

另外,本发明涉及一种结晶性透明导电性薄膜的制造方法,其特征在于,含有:在相对于氩气和氮气的总量以3000ppm~13000ppm的范围含有上述氮气的氩气气氛中,将氧化铟和氧化锡的混合物的烧结体用于透明导电性薄膜形成材料,通过气相法,使相对于氧化铟和氧化锡的总量以9重量%以下的比例含有氧化锡的氧化铟锡成膜,从而形成透明导电性薄膜的工序;和

将该透明导电性薄膜进行加热处理并结晶化的工序。

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