[发明专利]非晶质透明导电膜、靶和非晶质透明导电膜的制造方法有效
| 申请号： | 200680007481.2 | 申请日： | 2006-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101138052A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 岛根幸朗;井上一吉;松原雅人;田中信夫;笘井重和;矢野公规;松崎滋夫 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶质 透明 导电 制造 方法 | ||
1.一种非晶质透明导电膜，是以氧6配位的金属氧化物作为主要成分的非晶质透明导电膜，其中，
在所述非晶质透明导电膜的采用X射线散射测定求出的矢径分布函数(RDF)中，当将原子间距离为0.30nm～0.36nm间的RDF的最大值记为A，将原子间距离为0.36nm～0.42nm间的RDF的最大值记为B时，满足A/B＞1的关系。
2.如权利要求1所述的非晶质透明导电膜，其中，
当将原子间距离为0.18nm～0.26nm间的RDF的最大值记为C时，还满足A/C＞2.8的关系。
3.一种非晶质透明导电膜，是以氧6配位的金属氧化物作为主要成分的非晶质透明导电膜，其中，
在X射线光电子分光测定(XPS)中起因于所述非晶质透明导电膜的氧2p轨道的价电子带峰与起因于传导带电子的峰之间(带隙间)不含有峰成分。
4.如权利要求1～3的任一项所述的非晶质透明导电膜，其中，
所述主成分的氧6配位的金属氧化物是氧化铟，还含有氧化锌。
5.如权利要求4所述的非晶质透明导电膜，其中，
所述氧化铟在非晶质透明导电膜中所占的比例为70～95质量％。
6.如权利要求1～5的任一项所述的非晶质透明导电膜，其中，
所述非晶质透明导电膜还含有正三价以上的金属氧化物。
7.一种靶，其将使氧量为金属氧化物的化学计量量以下的氧6配位的金属氧化物作为主成分。
8.一种权利要求1～6的任一项所述的非晶质透明导电膜的制造方法，其中，
具有使用权利要求7所述的靶并使溅射体系内的水的分压为1×10-4Pa以下进行溅射的工序。
9.一种权利要求1～6的任一项所述的非晶质透明导电膜的制造方法，其具有：
使用以氧6配位的金属氧化物作为主要成分的靶，进行溅射从而形成非晶质透明导电膜的工序，和
在使所述非晶质透明导电膜与大气接触前，使所述非晶质透明导电膜的表面与氢接触的工序。
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