[发明专利]键合由从半导体材料中选择的材料制成的两片晶片的方法

权利要求书

1.一种将由从半导体材料中选择的材料制成的两片晶片键合在一起的方法，所述方法对要键合在一起的所述两片晶片中的至少一片晶片的表面进行等离子体激活，并且该方法包括以下步骤：在所述等离子体激活过程中控制激活参数以改变包含在所述等离子体中的物质的动能，从而在表面被激活的晶片的表面区的厚度中产生厚度受控的扰动区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对激活参数的控制还用于控制所述扰动区在表面被激活的所述晶片中的最大深度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对激活参数的控制包括所述参数的受控变化。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述扰动区在表面被激活的所述晶片的厚度中的10的深度与250的深度之间延伸。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述物质是所述等离子体的离子。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述控制设法使所述包含在所述等离子体中的物质获得10eV至2keV范围内的能级的动能。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对激活参数的控制包括：通过控制馈送给连接到表面要被激活的所述晶片的电极的功率密度来控制动能。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，按使得实现产生所述等离子体的功率密度的受控变化的方式来控制所述功率密度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，通过起初施加“高”功率、接着施加比所述高功率低的“低”功率来使所述功率密度变化。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述高功率与所述低功率之间的变化是按功率阶方式进行的，一个功率阶对应于所述高功率，另一功率阶对应于所述低功率。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，分别执行所述对应于所述高功率的功率阶和所述对应于所述低功率的功率阶达5秒至60秒范围内的持续时间。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，分别执行所述对应于所述高功率的功率阶和所述对应于所述低功率的功率阶达10秒至30秒范围内的持续时间。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，通过使所述功率以连续方式从所述高功率降低到所述低功率来进行所述高功率与所述低功率之间的变化。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述高功率具有针对所述要被激活的区域的在1.5W/cm²至15W/cm²范围内的值，所述低功率具有针对所述要被激活的区域的在0.15W/cm²至1.5W/cm²范围内的值。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述高功率具有针对所述要被激活的区域的3W/cm²的值，所述低功率具有针对所述要被激活的区域的0.8W/cm²的值。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述要被激活的晶片的所述表面是直径为200mm的圆形平面，所述高功率的值为1000W，所述低功率的值为250W。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述要被激活的晶片的所述表面是直径为300mm的圆形平面，所述高功率的值为2000W，所述低功率的值为500W。

18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述等离子体由反应离子刻蚀型设备产生，该反应离子刻蚀型设备具有通过电容耦合对支持所述要被激活的晶片的所述电极进行馈送的单个射频发生器。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，在10秒至2分钟范围内的持续时间的时间间隔上进行所述变化。

20.根据权利要求7所述的方法，其中，连接到表面要被激活的所述晶片的所述电极仅用于控制所述等离子体物质的动能。

21.根据权利要求7所述的方法，其中，连接到表面要被激活的所述晶片的所述电极不仅用于控制所述等离子体物质的动能，而且用于激励所述等离子体。