[发明专利]用于生长平坦半极性氮化镓的技术

说明书

相关申请案的交叉参考

本申请案依据35 U.S.C.119(e)部分主张以下共同待决和共同受让的美国专利申请案的权益：

Troy J.Baker，Benjamin A.Haskell，Paul T.Fini，Steven P.DenBaars,James S.Speck和Shuji Nakamura于2005年3月10日申请的标题为“TECHNIQUE FOR THE GROWTH OFPLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE”的美国临时专利申请案第60/660,283号，代理人案号第30794.128-US-P1号；

所述申请案是以引用的方式并入本文中。

本申请案涉及以下共同待决和共同受让的申请案：

Robert M.Farrell，Troy J.Baker，Arpan Chakraborty，Benjamin A.Haskell，P.MorganPattison，Rajat Sharma，Umesh K.Mishra，Steven P.DenBaars，James S.Speck和ShujiNakamura于2005年6月1日申请的标题为“TECHNIQUE FOR THE GROWTH ANDFABRICATION OF SEMIPOLAR(Ga，Al，In，B)N THIN FILMS，HETEROSTRUCTURES，AND DEVICES”的美国临时专利申请案第60/686,244号，代理人案号第30794.140-US-P1(2005-668)号；

Troy J.Baker，Benjamin A.Haskell，James S.Speck和Shuji Nakamura于2005年7月13日申请的标题为“LATERAL GROWTH METHOD FOR DEFECT REDUCTION OFSEMIPOLAR NITRIDE FILMS”的美国临时专利申请案第60/698,749号，代理人案号第30794.141-US-P1(2005-672)号；

Michael Iza，Troy J.Baker，Benjamin A.Haskell，Steven P.DenBaars和Shuji Nakamura于2005年9月9日申请的标题为“METHOD FOR ENHANCING GROWTH OFSEMIPOLAR(Al，In，Ga，B)N VIA METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION”的美国临时专利申请案第60/715,491号，代理人案号第30794.144-US-P1(2005-722)号；

John F.Kaeding，Michael Iza，Troy J.Baker，Hitoshi Sato，Benjamin A.Haskell，James S.Speck，Steven P. DenBaars和Shuji Nakamura于2006年1月20日申请的标题为“METHODFOR IMPROVED GROWTH OF SEMIPOLAR(Al，In，Ga，B)N”的美国临时专利申请案第60/760,739号，代理人案号第30794.150-US-P1(2006-126)号；

Hitoshi Sato，John F.Keading，Michael Iza，Troy J.Baker，Benjamin A.Haskell，StevenP.DenBaars和Shuji Nakamura于2006年1月20日申请的标题为“METHOD FORENHANCING GROWTH OF SEMIPOLAR(Al，In，Ga，B)N VIA METALORGANICCHEMICAL VAPOR DEPOSITION”的美国临时专利申请案第60/760,628号，代理人案号第30794.159-US-P1(2006-178)号；

John F.Kaeding，Hitoshi Sato，Michael Iza，Hirokuni Asamizu，Hong Zhong，Steven P.DenBaars和Shuji Nakamura于2006年2月10日申请的标题为“METHOD FORCONDUCTIVITY CONTROL OF SEMIPOLAR(Al，In，Ga，B)N”的美国临时专利申请案第60/772,184号，代理人案号第30794.166-US-P1(2006-285)号；