[发明专利]Ⅲ－Ⅴ族氮化物系化合物半导体装置及电极形成方法无效
| 申请号： | 200680007935.6 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101138074A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 池田成明;吉田清辉 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 装置 电极 形成 方法 | ||
1.一种III-V族氮化物系化合物半导体装置，其特征在于，在由III-V族氮化物系化合物半导体构成的n型层的表面上形成的电极材料中至少包含Ti、Al、Si。
2.如权利要求1所述的III-V族氮化物系化合物半导体装置，其特征在于，所述电极是在由III-V族氮化物系化合物半导体构成的n型层的表面上至少依次叠层第一层和第二层的电极，该第一层至少包含Ti，该第二层至少包含Al和Si。
3.如权利要求2所述的III-V族氮化物系化合物半导体装置，其特征在于，所述第二层包含主要由Al和Si的混晶相构成的层。
4.如权利要求2或3所述的III-V族氮化物系化合物半导体装置，其特征在于，所述第二层具有Si层和Al层按照该顺序依次叠层在Ti层上的结构。
5.如权利要求1～4中任一项所述的III-V族氮化物系化合物半导体装置，其特征在于，所述电极在包含Ti、Al、Si的层上还叠层由从Mo、Nb、Ta、W、Re、Os、Ni、Pt、Ir、Ti中选择的一种或多种构成的层。
6.如权利要求1～5中任一项所述的III-V族氮化物系化合物半导体装置，其特征在于，在所述电极上具备绝缘保护膜，所述电极在与所述绝缘保护膜的边界部具有Ti层。
7.一种III-V族氮化物系化合物半导体的电极形成方法，是在III-V族氮化物系化合物半导体上形成电极的方法，其特征在于，该电极具有至少包含Ti、Al、Si的层，在由III-V族氮化物系化合物半导体构成的n型层的表面上，至少叠层由Ti构成的第一层及由Al和Si构成的第二层。
8.一种III-V族氮化物系化合物半导体的电极形成方法，是在III-V族氮化物系化合物半导体上形成电极的方法，其特征在于，该电极具有至少包含Ti、Al、Si的层，在由III-V族氮化物系化合物半导体构成的n型层的表面上，至少将由Ti构成的层、由Si构成的层及由Al构成的层按照该顺序叠层后，进行热处理。
9.如权利要求7或8所述的III-V族氮化物系化合物半导体的电极形成方法，其特征在于，在所述包含Ti、Al、Si的层上还叠层由从Mo、Nb、Ta、W、Re、Os、Ni、Pt、Ir、Ti中选择的一种或多种构成的层。
10.如权利要求7～9中任一项所述的III-V族氮化物系化合物半导体的电极形成方法，其特征在于，在最上层上形成Ti层。
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