[发明专利]三轴磁传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种三轴磁传感器，在一个衬底内具有灵敏度方向彼此交叉的多个磁阻效应元件，其特征在于：

至少一个磁阻效应元件形成在所述衬底上的平面，并且其被钉扎层的磁化方向在所述平面内，

至少一个其它磁阻效应元件形成在设置于所述衬底的斜面上，并且其被钉扎层的磁化方向形成在沿所述斜面的面内。

2.如权利要求1所述的三轴磁传感器，其特征在于：

通过极性不同的永久磁铁片相邻配置的永久磁铁组产生的磁场将所述磁阻效应元件的被钉扎层磁化，

所述衬底上的平面上形成的磁阻效应元件，通过所述永久磁铁片产生的磁场中、与所述衬底平行的磁场将其被钉扎层磁化，

所述形成在设置于所述衬底的斜面上的磁阻效应元件，通过所述永久磁铁片产生的磁场中、与所述永久磁铁片的所述衬底交叉的磁场将其被钉扎层磁化。

3.如权利要求1所述的三轴磁传感器，其特征在于：

所述斜面为衬底上由厚膜形成的沟槽的斜面。

4.一种三轴磁传感器，在一个衬底内，具有多个巨大磁阻效应元件桥接的X轴传感器、多个巨大磁阻效应元件桥接的Y轴传感器、多个巨大磁阻效应元件桥接的Z轴传感器，其特征在于：

所述磁阻效应元件，由一个磁阻效应元件条或多个磁阻效应元件条串联连接而形成的结构，

所述X轴传感器的磁阻效应元件以及所述Y轴传感器的磁阻效应元件，形成在相对于所述衬底的平面平行的平面上，它们的灵敏度方向为相对于各磁阻效应元件条的长度方向垂直的方向，所述X轴传感器的磁阻效应元件和所述Y轴传感器的磁阻效应元件的被钉扎层的磁化方向彼此垂直地形成，

所述Z轴的磁阻效应元件，形成在设置于所述衬底的斜面上，其被钉扎层的磁化方向在所述斜面内而形成，并且，其灵敏度方向相对于该磁阻效应元件条的长度方向交叉而形成。

5.如权利要求4所述的三轴磁传感器，其特征在于：

所述磁阻效应元件为，多个磁阻效应元件条平行配置，相邻的磁阻效应元件条通过偏置磁膜串联连接。

6.如权利要求4所述的三轴磁传感器，其特征在于：

构成所述Z轴传感器的磁阻效应元件的各磁阻效应元件条，形成在下述斜面上，该斜面形成为相对于与所述衬底的平面垂直的Z轴而以相同角度相对，

所述磁阻效应元件条的长度方向与所述衬底的长边(X轴)方向或短边(Y轴)方向之中的任一方向一致，并且通过分别形成在所述各斜面上的磁阻效应元件条而构成的磁阻效应元件彼此相邻地平行配置。

7.如权利要求4所述的三轴磁传感器，其特征在于：

构成所述Z轴传感器的磁阻效应元件的各磁阻效应元件条，形成在下述斜面上，该斜面形成为相对于与所述衬底的平面垂直的Z轴而相对，所述磁阻效应元件条的长度方向与所述衬底的长边(X轴)方向或短边(Y轴)方向之中的任一方向一致，并且通过分别形成在所述各斜面上的磁阻效应元件条而构成的磁阻效应元件彼此相邻地平行配置且桥接。

8.如权利要求4所述的三轴磁传感器，其特征在于：

所述衬底形成为俯视的长方形状，其长宽比为1∶2或1∶1.5。

9.如权利要求6所述的三轴磁传感器，其特征在于：

由所述磁阻效应元件条构成的两个磁阻效应元件彼此相邻地平行配置，并且这两个磁阻效应元件与相对于俯视为正方形状的衬底的中心点对称的位置形成的两个非磁阻体桥接。

10.如权利要求4所述的三轴磁传感器，其特征在于：

所述斜面为衬底上由厚膜形成的沟槽的斜面。

11.一种三轴磁传感器的制造方法，该三轴磁传感器在一个衬底内具有多个磁阻效应元件桥接的X轴传感器、多个磁阻效应元件桥接的Y轴传感器、多个磁阻效应元件桥接的Z轴传感器，其特征在于，具有：

磁阻效应元件形成工序，在所述衬底上形成成为X轴传感器的多个磁阻效应元件、成为Y轴传感器的多个磁阻效应元件以及成为Z轴传感器的多个磁阻效应元件；

有序化热处理工序，对形成在所述衬底上的各磁阻效应元件施加磁场，并且进行加热，对所述各磁阻效应元件同时进行有序化热处理。