[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，具有：含第一种掺杂的基底层(12)，它与极性相反的含第二种掺杂的正面层(14)形成一个界面；带有至少一个正面接触件(18)和至少一个背面接触件(32)，其中，在基底层(12)和背面接触件(32)之间至少装有一个钝化层(24)和一个隧道接触层(26、28)。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，钝化层(24)由与基底层(12)极性相同的掺杂或高掺杂材料构成。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，背面接触件(32)为金属接触面。

4.根据上述任一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，至少背面接触件(32)或正面接触件(18)由铝、金、银或其他金属构成。

5.根据上述任一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，钝化层(24)由无定形硅(a-Si)构成。

6.根据上述任一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，隧道接触层(26、28)由微晶体硅(μc-Si)构成。

7.根据上述任一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，隧道接触层(26、28)具有第一高掺杂层(26)和极性相反的第二高掺杂层(28)。

8.根据上述任一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，基底层(12)为p型掺杂，正面层为n型掺杂，隧道接触层(26、28)具有一个p⁺型高掺杂层(26)和一个n⁺型高掺杂层(28)。

9.根据权利要求1至6所述的太阳能电池，其特征在于，隧道接触层(26、28)具有第一掺杂层(26)和极性相同的第二高掺杂层(28)。

10.根据权利要求1至6所述的太阳能电池，其特征在于，基底层(12)为p型掺杂，正面层为n型掺杂，隧道接触层(26、28)具有第一个p型掺杂层(26)和第二个p⁺型高掺杂层(28)。

11.根据权利要求8或10所述的太阳能电池，其特征在于，钝化层(24)是p型掺杂层或p⁺型高掺杂层。

12.根据上述任一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，在钝化层(24)和基底层(12)之间装有一个由a-Si构成的本征层。

13.根据上述任一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，在隧道接触层(26、28)和背面接触件(32)之间设置有一个可导电的透明材料层(30)，该层优选由氧化锌(ZnO)、氧化铟锡(ITO)或一种可导电的聚合物构成。

14.根据上述任一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，至少钝化层(24)、隧道接触层(26、28)或本征层(22)中含有氢。

15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其特征在于，至少其钝化层(24)、隧道接触层(26、28)或本征层(22)含有原子百分比浓度大约为1到20at.％的氢。

16.根据上述任一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，基底材料(12)由单晶体硅或多晶体硅(μc-Si)构成。

17.根据上述任一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，正面层(14)配有一个钝化层(16)，该钝化层在正面接触区域内(18)中断。

18.根据上述任一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，至少有一个层是通过薄膜工艺、尤其是等离子增强化学气相沉积法、溅射或催化CVD法(热丝化学气相沉积法)来制成的。

19.根据上述任一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，在最高温度约为250℃，最好为200℃的条件下加装材料层。