[发明专利]集成薄膜太阳能电池及其制造方法、及集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法及其结构、及具有处理过的透明电极的透明基板

权利要求书

1.一种制造集成薄膜太阳能电池的方法，包括以下步骤：

(a)单独在透明基板上方形成透明的电极图案；

(b)在步骤(a)的基板上形成太阳能电池(半导体)层；

(c)通过在太阳能电池(半导体)层上倾斜沉积导电材料形成第一后电极；

(d)通过将第一后电极作为掩模蚀刻太阳能电池(半导体)层；和

(e)通过在步骤(d)的基板上倾斜沉积导电材料形成第二后电极以使透明电极和第一后电极电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(a)包括步骤：

(a-1)在基板上形成透明电极层；

(a-2)在透明电极层上单独形成光致抗蚀剂(PR)或聚合物图案；

(a-3)通过利用光致抗蚀剂或聚合物图案作为掩模蚀刻透明电极层；和

(a-4)去除光致抗蚀剂或聚合物图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其中透明电极层包括选自下面的一种或多种透明导电膜：氧化锌(ZnO)，氧化锡(SnO₂)和铟锡氧化物(ITO)。

4.根据权利要求2所述的方法，其中在步骤(a-3)中，透明电极层通过各向同性蚀刻方法形成。

5.根据权利要求2所述的方法，其中在步骤(a-3)中，透明电极层通过台面蚀刻形成。

6.根据权利要求2所述的方法，其中在步骤(a-3)中，透明电极层通过各向异性蚀刻方法形成。

7.根据权利要求4或5所述的方法，其中在步骤(d)中，太阳能电池(半导体)层以垂直方向蚀刻。

8.根据权利要求6所述的方法，其中在步骤(d)中，太阳能电池(半导体)层以倾斜方向倾斜蚀刻。

9.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(e)中的导电材料沉积通过电子束或热沉积进行，并且在导电材料沉积时，单元器件串联电连接。

10.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(b)中的太阳能电池包括选自下面的一种或多种：基于硅的薄膜太阳能电池，基于化合物的薄膜太阳能电池，基于有机物的太阳能电池和干式染料敏感太阳能电池。

11.根据权利要求10所述的方法，其中基于硅的薄膜太阳能电池包括选自下面的任何一种：非晶硅(a-Si:H)单结太阳能电池，非晶硅(a-Si:H/a-Si:H，a-Si:H/a-Si:H/a-Si:H)多结太阳能电池，非晶硅锗(a-SiGe:H)单结太阳能电池，非晶硅/非晶硅-锗(a-Si:H/a-SiGe:H)双结太阳能电池，非晶硅/非晶硅-锗/非晶硅-锗(a-Si:H/a-SiGe:H/a-SiGe:H)三结太阳能电池，以及非晶硅/微晶(多晶)硅双结太阳能电池。

12.根据权利要求1所述的方法，其中第一和第二后电极包括选自下面的一种或多种：银(Ag)，铝(Al)和金(Au)。

13.借助制造权利要求1中所述的薄膜太阳能电池的方法，通过串联电连接单元器件集成的集成薄膜太阳能电池。

14.一种制造集成薄膜太阳能电池的透明电极的方法，包括步骤：

(a)在透明基板上形成透明电极层；

(b)在透明电极层上通过印刷方法单独形成光致抗蚀剂(PR)或聚合物图案；

(c)通过利用光致抗蚀剂或聚合物图案作为掩模蚀刻透明电极层；和

(d)去除光致抗蚀剂或聚合物图案。

15.根据权利要求14所述的方法，其中在步骤(a)中，透明电极层包括选自下面的一种或多种透明导电膜：氧化锌(ZnO)，氧化锡(SnO2₎和铟锡氧化物(ITO)。

16.根据权利要求14所述的方法，其中在步骤(c)中，透明电极层以垂直方向蚀刻。

17.根据权利要求14所述的方法，其中在步骤(c)中，透明电极层被台面蚀刻。

18.根据权利要求14所述的方法，其中在步骤(a-3)中，透明电极层被各向同性蚀刻。